容量：16Kbit
　　组织结构：2K x 8
　　访问时间：70ns
　　工作电压：5V
　　封装类型：28引脚 DIP/SOIC
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　功耗：典型值100mA（待机模式下低于10mA）
　　输入/输出电平：TTL兼容

HY6116LP-70 SRAM芯片以其高速度和低功耗而闻名，能够在70纳秒内完成一次完整的读写操作。这种快速的访问时间使得它非常适合用于需要快速响应的微处理器系统。此外，该芯片支持TTL电平输入和输出，使其能够轻松集成到现有的数字电路中。
　　该芯片还具有良好的稳定性与可靠性，在宽温度范围内（-40°C至+85°C）能够保持稳定工作，因此广泛应用于工业控制、通信设备以及嵌入式系统等对环境适应性要求较高的场合。
　　在功耗方面，HY6116LP-70在正常工作模式下的电流消耗仅为约100mA，而在待机模式下则可降至10mA以下，这使其非常适合用于需要节能设计的应用中。

HY6116LP-70因其高速存取能力和低功耗特点，被广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业控制系统、数据采集设备、网络路由器和交换机、测试测量仪器、消费类电子产品中的缓存存储器等。该芯片特别适合需要频繁读写操作且对响应速度有较高要求的系统设计。
　　在嵌入式系统中，HY6116LP-70常被用作高速缓存或临时数据存储单元，以提升系统的整体性能。同时，它也常用于需要长期运行并保持稳定数据存储的工业自动化设备中。

CY62167VLL-70ZE3C, IDT71V124SA70PFG, AS6C1008-55PCN-BL, IS61LV25616A-70BLL