HY6116AP 时间：2025/9/2 8:07:05 阅读：23

HY6116AP 是一款由现代电子（Hyundai Electronics，现为Hynix）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，其容量为2K x 8位，即总共16K位的存储容量。该芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问的特点，适用于需要快速数据存取的场合。HY6116AP采用28引脚DIP封装，工作温度范围通常为工业级（-40°C至+85°C），适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量：2K x 8位
　　访问时间：55ns（典型值）
　　电源电压：5V ± 10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28引脚DIP
　　功耗（典型）：120mA（运行模式）
　　引脚排列：符合JEDEC标准
　　数据保持电压：2V（最低）

特性

HY6116AP 的核心特性包括高速访问能力、低功耗设计、宽温度范围适应性和高可靠性。该芯片的访问时间仅为55纳秒，使其适用于需要快速响应的系统，如嵌入式控制器、工业自动化设备和通信模块。CMOS工艺不仅降低了芯片的静态功耗，还增强了抗干扰能力，确保数据存储的稳定性。
　　此外，HY6116AP 提供了标准的28引脚DIP封装，便于在各种PCB设计中使用。其宽工作温度范围使得该芯片可以在恶劣的工业环境中可靠运行。数据保持电压低至2V，确保在电源不稳定或低功耗模式下数据不会丢失。
　　该芯片还具备双向数据总线和地址总线，支持标准的异步SRAM接口协议，方便与微处理器、微控制器等主控设备进行连接。其片选（CS）和输出使能（OE）控制信号使得在多芯片系统中实现高效存储器管理成为可能。

应用

HY6116AP 主要应用于需要快速、可靠存储的嵌入式系统，如工业控制设备、通信模块、智能仪表、测试设备和小型计算机系统。由于其高速访问时间和低功耗特性，它也常用于需要频繁读写操作的场合，例如缓存存储器、数据缓冲区和实时控制系统中的临时数据存储。
　　此外，HY6116AP 还被广泛用于老式计算机和游戏机的扩展内存设计中，尤其在复古电子设备的修复和改造项目中具有一定的收藏和实用价值。其兼容性强、接口简单，适合与多种微处理器和控制器配合使用。