HY601742E 时间：2025/9/2 22:23:14 阅读：14

HY601742E 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于早期的DRAM系列产品之一。该芯片广泛应用于计算机内存、嵌入式系统以及其他需要高速数据存储和读取的电子设备中。HY601742E通常采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，适用于多种工业标准内存模块的设计。

参数

类型：DRAM
　　容量：16MB
　　组织结构：1M x 16位
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

特性

HY601742E 是一款高性能的DRAM芯片，具备较快的访问时间，适用于需要快速数据处理的系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的集成度，能够在多种环境下稳定工作。
　　该芯片的数据宽度为16位，存储容量为16MB，适用于需要较大内存容量的设备，如早期的个人计算机、工业控制设备、通信模块和图像处理系统。其TSOP封装形式不仅有助于降低封装高度，还能提高封装密度，适用于对空间要求较高的应用场合。
　　此外，HY601742E 支持异步操作，具备较宽的工作温度范围，能够适应工业级应用环境。其电气特性符合JEDEC标准，确保与其他系统的兼容性和互换性。虽然该芯片已属于较早期的产品，但在一些老旧设备或特定工业设备中仍有应用。

应用

HY601742E 主要用于各种嵌入式系统和工业控制设备中的内存模块设计，例如工业计算机、图像采集设备、网络路由器、交换机和自动化控制系统等。此外，它也被用于早期的PC主板内存条中，适用于需要16MB存储容量的场景。由于其高可靠性和稳定的性能，HY601742E 也被应用于一些航空航天、医疗设备和测试仪器中。