时间：2025/9/1 14:30:47
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HY5V66ELF6P-H 是一款由Hynix（现为SK Hynix）公司制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，常用于嵌入式系统和需要高速存储的设备中。该型号属于低电压DRAM存储器，支持高速数据访问，适用于网络设备、工业控制系统、消费类电子产品等。
容量：64Mbit
组织结构：4M x 16
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大工作频率：166MHz
数据保持电压：2.0V
HY5V66ELF6P-H 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，具有快速访问时间和宽电压工作范围，适合多种应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗待机模式，有助于在系统空闲时节省能耗。
其高速访问时间为5.4ns，支持高达166MHz的工作频率，使得数据读写更加高效，适用于需要高带宽数据传输的系统。
封装方面，该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有良好的电气性能和热稳定性，便于在高密度PCB布局中使用。
此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级温度要求，适用于各种恶劣环境下的稳定运行。
该芯片还具备数据保持电压特性，在系统进入低功耗模式时，仅需维持2.0V的电压即可保持存储数据不丢失，特别适用于需要数据保持功能的电池供电设备。
HY5V66ELF6P-H 主要用于需要高速存储和低功耗特性的系统，如网络路由器、工业控制设备、图像处理模块、通信设备以及消费类电子产品。其宽电压范围和工业级温度适应性使其在嵌入式系统中表现出色。
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"IS61LV6416-10T",
"A66A16S1008"
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