HY5V56FFP 时间：2025/9/1 20:09:20 阅读：6

HY5V56FFP 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高速、低功耗、动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的集成度和稳定性，广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品中。HY5V56FFP属于16MB容量的DRAM芯片，支持快速数据读写操作，适用于需要大容量缓存的应用场景。

参数

容量：16MB
　　组织结构：1M x 16位
　　电压：3.3V
　　访问时间：5.4ns
　　封装形式：TSOP
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　最大工作频率：166MHz
　　数据保持时间：64ms
　　刷新周期：64ms

特性

HY5V56FFP DRAM芯片具有多项出色的性能特性。首先，它采用低功耗设计，在保证高速运行的同时，有效降低整体功耗，适用于对功耗敏感的便携式设备。其3.3V电源电压符合主流低电压系统需求，兼容性好，便于与其他数字电路配合使用。
　　其次，该芯片支持166MHz的最高工作频率，访问时间仅为5.4ns，确保了数据的快速读写能力，适用于高性能嵌入式系统、图像处理模块以及工业控制设备等对速度有较高要求的应用场景。
　　此外，HY5V56FFP采用了TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的散热性能，提高了系统的稳定性和可靠性。其工作温度范围为0°C至70°C，适用于大多数工业级环境。
　　该芯片的存储组织结构为1M x 16位，总容量为16MB，适合用作缓存或主存，支持快速的数据交换和处理。同时，它具备标准的DRAM刷新机制（刷新周期为64ms），确保数据在断电前能被正确保存。