时间：2025/9/2 5:56:39
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HY5V26ELFP-H 是一种由Hynix（现为SK hynix）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于低功耗、高性能的DRAM系列，专为需要高密度存储和快速访问的系统设计。HY5V26ELFP-H采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，适用于各种便携式电子设备和嵌入式系统。这款DRAM芯片的容量为256Mb，采用x16的组织方式，能够在高速时钟频率下稳定工作，支持多种刷新模式以确保数据完整性。
容量：256Mb
组织方式：x16
封装类型：FBGA
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
输入/输出接口：CMOS
数据输出格式：并行
HY5V26ELFP-H 采用了先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和高稳定性的特点，适合在电池供电和高温环境下运行。该芯片支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新模式，能够在系统空闲时有效降低功耗。其高速访问时间和宽温度范围使其适用于各种工业和消费类电子产品。此外，HY5V26ELFP-H具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持数据的完整性。
该DRAM芯片的x16数据总线宽度支持更高的数据吞吐量，适用于需要大容量缓存的应用场景。FBGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了热管理和电气性能。此外，HY5V26ELFP-H符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺。
HY5V26ELFP-H 广泛应用于需要高性能、低功耗存储解决方案的设备中，如嵌入式控制系统、工业计算机、通信模块、数码相机、手持终端和智能家电。由于其宽温特性和高可靠性，也适用于车载电子系统、监控设备和网络设备等对环境适应性要求较高的领域。
IS42S16256ALB4A1L、CY7C1380C、IDT71V416SA、HY5V281620F
