时间：2025/9/1 21:21:41
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HY5V26DLFP-H 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高速CMOS动态存储器的一种。该芯片通常用于需要高速数据存储和访问的应用场景，例如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费类电子产品。该器件采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具有较高的集成度和较低的功耗。
容量：256Mbit
组织方式：16M x 16
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54-ball FBGA
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
HY5V26DLFP-H 具有低功耗特性，非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其高速存取时间确保了在高性能系统中数据的快速读写操作。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的稳定性和可靠性，能够在工业级温度范围内稳定运行。此外，该芯片的FBGA封装形式有助于提高PCB布局的灵活性，并提供良好的散热性能。
这款DRAM芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不丢失数据的情况下进入低功耗模式，从而延长设备的使用时间。其异步控制接口也使得与多种主控芯片的兼容性更强，适用于广泛的应用场景。
HY5V26DLFP-H 主要应用于需要中等容量高速存储的系统中，例如通信设备、工控设备、智能仪表、图像处理模块以及部分消费类电子产品。其低功耗和高速特性也使其适用于需要长时间运行并具备良好稳定性的工业控制系统。此外，该芯片也可作为缓存或主存用于嵌入式系统的数据处理与存储任务。
IS42S16400F-6T、CY7C1362A-550BZ、MT55L256A2B4-6A
