时间：2025/9/3 22:03:36
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HY5V26CF-K 是由现代（Hyundai，现为SK Hynix）生产的一款低功耗动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于16M x16位的DRAM类型，通常用于需要中等存储容量和高性能的应用中。HY5V26CF-K 采用CMOS工艺制造，具有高速存取能力，适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品等场景。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16位
电压：3.3V
封装类型：TSOP
访问时间：5.4ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
时钟频率：166MHz
数据保持电压：2.3V 至 3.6V
HY5V26CF-K 具有低功耗设计，适合对功耗敏感的应用场景。其高速存取能力可支持高频操作，提高系统性能。此外，该芯片采用CMOS技术，具有较高的集成度和稳定性。其TSOP封装设计有助于减小PCB空间占用，并提高散热性能。芯片支持自动刷新和自刷新功能，有助于降低系统功耗并延长数据保持时间。
这款DRAM芯片的工作电压为3.3V，适用于广泛的电源管理应用，并且其宽温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在工业级环境中稳定运行。HY5V26CF-K 的166MHz时钟频率支持高速数据传输，适合需要高吞吐量的应用场景，如图形处理、高速缓存和实时数据处理等。
HY5V26CF-K 常见于需要较高存储性能和低功耗的工业设备、嵌入式系统、通信模块、便携式电子设备和网络设备。例如，该芯片可用于路由器、交换机、监控系统、智能家电以及工业控制面板等应用中，提供快速、稳定的数据存储和处理支持。其TSOP封装形式也适合小型化设备的设计需求。
IS42S16160B-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1361KV18-6A
