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HY5S6B6DLFP-SEDR 发布时间 时间:2025/9/2 4:57:36 查看 阅读:10

HY5S6B6DLFP-SEDR是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的高性能、低功耗的移动LPDDR5 SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片。这款内存芯片适用于需要高带宽和低功耗的设备,如智能手机、平板电脑和高性能计算设备。LPDDR5是第五代低功耗双倍数据速率SDRAM,它在性能和能效方面相比前代产品(如LPDDR4X)有了显著提升。

参数

容量:8Gb
  组织结构:x16位宽
  封装类型:FBGA
  封装尺寸:122-ball FBGA(6.0mm x 9.0mm)
  工作电压:1.05V(VDD/VDDQ)
  接口标准:LPDDR5
  最大时钟频率:6400Mbps
  数据速率:6400Mbps
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据预取:16n预取
  突发长度:BL=16/OTF(On-The-Fly)
  刷新模式:自动刷新/自刷新
  支持命令速率:1T/2T

特性

HY5S6B6DLFP-SEDR采用了最新的LPDDR5架构,具有更高的数据传输速率和更低的功耗。相比LPDDR4X,LPDDR5在相同的工作频率下可以节省约20%的功耗,并支持更高级别的带宽扩展。该芯片具备灵活的突发长度控制,支持16n和OTF(On-The-Fly)模式,从而提高内存访问效率。
  此外,该芯片支持多种节能模式,包括深度掉电模式(Deep Power Down Mode)和低频模式(Low-Frequency Mode),以进一步降低设备在待机或轻负载状态下的功耗。
  为了提升数据传输的稳定性,HY5S6B6DLFP-SEDR还集成了伪开漏驱动器(POD)、决策反馈均衡器(DFE)和写入X终止器(Write X-Termination),这些技术有助于提高信号完整性和系统稳定性。
  该芯片还支持命令/地址(CA)训练、读取/写入均衡训练和ZQ校准等功能,以优化内存子系统的性能并确保在高频下稳定运行。

应用

HY5S6B6DLFP-SEDR主要应用于高端移动设备和嵌入式系统,如旗舰级智能手机、平板电脑、高性能计算模块(HPCMs)、AR/VR设备以及5G通信设备。由于其高带宽和低功耗特性,该芯片也非常适合用于人工智能(AI)加速器、机器学习(ML)协处理器和边缘计算设备中的内存子系统。

替代型号

Micron LPDDR5 Datasheet: MT58L256A256-6A25:B4-ITP, Samsung LPDDR5: K3UH7H50AM-AGCL, Winbond LPDDR5: W66L16R2BCIA

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