HY5S6B6DLFP-SEDR 时间：2025/9/2 4:57:36 阅读：8

HY5S6B6DLFP-SEDR是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的高性能、低功耗的移动LPDDR5 SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片。这款内存芯片适用于需要高带宽和低功耗的设备，如智能手机、平板电脑和高性能计算设备。LPDDR5是第五代低功耗双倍数据速率SDRAM，它在性能和能效方面相比前代产品（如LPDDR4X）有了显著提升。

参数

容量：8Gb
　　组织结构：x16位宽
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：122-ball FBGA（6.0mm x 9.0mm）
　　工作电压：1.05V（VDD/VDDQ）
　　接口标准：LPDDR5
　　最大时钟频率：6400Mbps
　　数据速率：6400Mbps
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据预取：16n预取
　　突发长度：BL=16/OTF（On-The-Fly）
　　刷新模式：自动刷新/自刷新
　　支持命令速率：1T/2T

特性

HY5S6B6DLFP-SEDR采用了最新的LPDDR5架构，具有更高的数据传输速率和更低的功耗。相比LPDDR4X，LPDDR5在相同的工作频率下可以节省约20%的功耗，并支持更高级别的带宽扩展。该芯片具备灵活的突发长度控制，支持16n和OTF（On-The-Fly）模式，从而提高内存访问效率。
　　此外，该芯片支持多种节能模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和低频模式（Low-Frequency Mode），以进一步降低设备在待机或轻负载状态下的功耗。
　　为了提升数据传输的稳定性，HY5S6B6DLFP-SEDR还集成了伪开漏驱动器（POD）、决策反馈均衡器（DFE）和写入X终止器（Write X-Termination），这些技术有助于提高信号完整性和系统稳定性。
　　该芯片还支持命令/地址（CA）训练、读取/写入均衡训练和ZQ校准等功能，以优化内存子系统的性能并确保在高频下稳定运行。