类型：PSRAM
　　容量：64Mbit (8MB)
　　组织结构：x16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　最大访问时间：-
　　时钟频率：166MHz
　　封装类型：BGA
　　引脚数量：54-pin
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HY5S5B6HCFP-6E-C 是一款高性能、低功耗的PSRAM芯片，其结合了SRAM的易用性和DRAM的高密度特性，适用于多种嵌入式应用。这款芯片支持高速同步接口，最高时钟频率可达166MHz，从而实现快速的数据存取。其电源电压范围为2.3V至3.6V，使其能够适应多种系统设计需求，提高了设计的灵活性。
　　此外，HY5S5B6HCFP-6E-C 采用54引脚BGA封装，具有较小的封装尺寸，非常适合空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及工业控制设备。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了在各种环境条件下的稳定运行。
　　该芯片内部集成了刷新电路，使得用户无需额外设计复杂的DRAM刷新逻辑，从而降低了系统设计的复杂度，并提高了系统的可靠性。这种伪静态特性使得HY5S5B6HCFP-6E-C在需要中等容量存储且对功耗和体积有要求的应用中表现尤为出色。

HY5S5B6HCFP-6E-C 主要应用于需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统，例如：智能手机、手持设备、便携式游戏设备、工业控制设备、医疗设备、通信设备以及消费类电子产品。由于其具有同步接口和低功耗特性，因此特别适合电池供电设备，有助于延长设备的续航时间。
　　此外，该芯片也常用于需要快速数据访问的场景，例如图像缓冲、高速缓存存储、数据日志记录等应用。由于其兼容性良好，可以轻松集成到现有系统中，减少了开发时间和成本。在工业自动化和物联网（IoT）设备中，HY5S5B6HCFP-6E-C 也常用于数据存储和临时处理任务。

IS66WV51216FFALL、AP66WV51216