容量：8Gbit
　　数据速率：6400Mbps
　　工作电压：1.05V ~ 1.15V
　　封装类型：BGA
　　存储器类型：LPDDR5 SDRAM
　　数据总线宽度：16位
　　温度范围：-40°C 至 +85°C

HY5S5B6GLF-S 是一款面向高性能移动计算设备的LPDDR5 SDRAM芯片，具备多项先进的技术特性。首先，它支持高达6400Mbps的数据速率，相较于前代LPDDR4X，其数据传输速度有了显著提升，能够满足高带宽需求的应用，如4K视频处理、AI计算和多任务处理等。此外，该芯片采用了更先进的低电压设计（1.05V ~ 1.15V），在提高性能的同时有效降低功耗，延长了移动设备的电池续航时间。
　　在架构方面，HY5S5B6GLF-S 支持16位数据总线宽度，能够提供更高的数据吞吐能力。其BGA封装设计不仅提高了信号完整性和散热性能，还适应了紧凑型设备的布局需求。此外，该芯片支持多种节能模式，如深度掉电模式（Deep Power Down）、预充电节能模式（Precharge Power Down）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），可根据系统需求动态调整功耗，进一步优化能效。
　　该芯片还具备良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的应用，如车载电子系统和工业控制设备。

HY5S5B6GLF-S 主要用于需要高性能和低功耗内存解决方案的移动设备和嵌入式系统。其典型应用包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、AR/VR头显设备、车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）。此外，该芯片也可用于高性能计算模块、AI加速器和边缘计算设备，以支持实时数据处理和智能决策。

MT5216-64M16A256XGQ, K4U64324AA-LI1A