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HY5S2B6DLFP-SE 发布时间 时间:2025/9/1 23:46:35 查看 阅读:8

HY5S2B6DLFP-SE是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高性能DRAM芯片,属于低功耗DDR5 SDRAM类别。该芯片专为移动设备和高带宽需求的应用设计,具有较高的数据传输速率和较低的能耗,适合用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗敏感的设备。HY5S2B6DLFP-SE采用先进的制造工艺,确保在高频工作状态下依然保持稳定性和可靠性。

参数

容量:2Gb(256MB)
  组织方式:x16位
  接口类型:LPDDR5 SDRAM
  工作电压:1.0V - 1.1V
  时钟频率:最高可达6400Mbps(等效时钟频率3200MHz)
  封装类型:134-ball FBGA
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

HY5S2B6DLFP-SE具备多项先进的功能和技术特点。首先,它支持LPDDR5的最新规范,包括动态电压和频率调节(DVFS),这使得系统可以根据负载情况实时调整功耗,从而延长电池寿命。
  其次,该芯片采用了伪开漏(POD)驱动器和决策反馈均衡(DFE)技术,提高了信号完整性和数据传输的稳定性,尤其在高频下表现更为出色。
  此外,HY5S2B6DLFP-SE支持命令和地址训练(ZQ校准)和读写均衡训练,有助于优化系统时序和提高内存控制器的兼容性。
  该芯片还内置温度传感器,支持自动温度补偿刷新(ATR),确保在高温环境下数据的完整性。
  最后,其134-ball FBGA封装形式具有较小的封装尺寸和较低的寄生电感,适合高密度PCB布局设计。

应用

HY5S2B6DLFP-SE广泛应用于高性能移动设备和嵌入式系统中,如旗舰级智能手机、高端平板电脑、车载信息娱乐系统(IVI)、工业控制设备、边缘计算设备以及需要高带宽和低功耗的AI加速模块等。

替代型号

MT58K256A2B4-6A、EM7BA16EBAWDA-5.0E、K5TAV16TAA-40C1

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