时间：2025/9/2 14:33:38
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HY5PS561621F-C4 是由SK hynix公司生产的一种高速低压双倍数据速率同步动态随机存取存储器（LPDDR2 SDRAM）芯片。该芯片专为低功耗和高性能应用而设计，广泛应用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统和消费类电子产品。HY5PS561621F-C4 的封装形式为BGA（球栅阵列），具有高密度存储能力和高效的读写性能。这款存储芯片支持多种工作模式，包括自刷新、深度掉电模式等，以满足不同应用场景下的功耗需求。
容量：256MB
组织结构：16位数据总线（x16）
电压：1.2V ~ 1.8V（核心电压）
时钟频率：最高可达200MHz
数据速率：400Mbps
封装类型：BGA
温度范围：工业级（-40°C ~ +85°C）
制造工艺：56nm
内存架构：LPDDR2 SDRAM
CAS延迟：可配置
突发长度：可配置
刷新周期：64ms
HY5PS561621F-C4 是一款专为低功耗应用设计的 LPDDR2 SDRAM 存储器芯片，其核心特性之一是其支持的多种电源管理模式，包括自刷新（Self-Refresh）、深度掉电模式（Deep Power-Down）和预充电掉电模式（Precharge Power-Down）。这些模式允许设备在不需要数据访问时大幅降低功耗，从而延长电池寿命，非常适合移动设备和嵌入式系统使用。
此外，该芯片支持的最高时钟频率为 200MHz，对应的数据传输速率为 400Mbps，能够提供高效的数据传输能力，满足高性能应用的需求。其16位数据总线设计进一步提升了数据吞吐量，使得系统在处理大量数据时更加流畅。
该芯片采用 BGA 封装技术，确保了良好的电气性能和热稳定性，适用于空间受限的高密度电路设计。HY5PS561621F-C4 还具备可配置的 CAS 延迟和突发长度（Burst Length），允许系统开发者根据具体应用场景优化内存性能和功耗之间的平衡。
在制造工艺方面，该芯片采用先进的 56nm 制程技术，不仅提高了存储密度，也进一步降低了芯片的功耗和发热。其支持的工业级工作温度范围（-40°C ~ +85°C）使其能够在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、车载电子系统等对可靠性要求较高的场景。
HY5PS561621F-C4 的另一个关键特性是其兼容性。该芯片符合 JEDEC 标准，确保与主流处理器和控制器的兼容性，简化了系统设计和调试过程。此外，其内置的纠错和自修复机制也提升了系统的稳定性与可靠性。
HY5PS561621F-C4 被广泛应用于需要高性能与低功耗平衡的嵌入式系统和便携式电子产品。典型应用包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、数字电视、机顶盒、便携式游戏机以及工业控制设备等。该芯片的低功耗特性使其特别适合电池供电设备，有助于延长设备的续航时间。同时，其高速数据传输能力也使其能够胜任多媒体处理、图形渲染等对内存带宽要求较高的任务。在工业和车载电子领域，HY5PS561621F-C4 的宽温工作范围和高可靠性确保了其在复杂环境中的稳定运行。
HY5PS561621F-S4、MT48LC16M16A2B4-6A、EM68A160TS-5B
