时间：2025/9/2 9:38:28
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HY5PS561621BFP-2L 是现代（Hyundai）推出的一款高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片。该芯片属于移动SDRAM（Mobile SDRAM）类别，专为便携式设备和低功耗应用设计，例如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有高密度、高速访问和低功耗等优点，适用于需要高效能与节能并重的移动设备系统。
容量：64Mbit
组织结构：16位数据总线 x 4个Banks
电压：2.3V - 3.6V（正常工作电压范围）
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
访问时间：5.4ns（最大）
时钟频率：166MHz
封装尺寸：54-ball FBGA
封装型号：BFP
存取模式：同步突发模式
数据保持电压：1.8V - 3.6V（用于数据保持模式）
HY5PS561621BFP-2L 的主要特性之一是其支持低功耗模式，包括自动休眠（Auto-Sleep）和自刷新（Self-Refresh）模式，这使得该芯片非常适合电池供电的便携设备。此外，该芯片支持同步突发模式，允许在单一时钟周期内访问多个数据，提高数据传输效率。其采用的TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的热性能和电气性能，适用于高密度PCB布局。
该芯片的存储容量为64Mbit，分为4个Bank，每个Bank 16Mbit，使得其能够支持多种内存管理策略。数据宽度为16位，提供了较高的数据吞吐能力。此外，HY5PS561621BFP-2L 支持快速的访问时间（5.4ns），使其适用于高性能应用。工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级温度要求，适用于各种严苛环境下的设备应用。
在电源管理方面，HY5PS561621BFP-2L 支持多种电压模式，正常工作电压为2.3V至3.6V，而在数据保持模式下，最低可降至1.8V，从而进一步降低功耗。这种灵活性使其能够在不同的系统电源架构中使用，并有助于延长设备的电池寿命。
HY5PS561621BFP-2L 主要应用于需要低功耗、高性能存储的便携式电子产品中。例如，它广泛用于智能手机、平板电脑、PDA（个人数字助理）、数码相机、便携式游戏机等设备。此外，由于其工业级温度适应能力，该芯片也可用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、车载导航系统等对可靠性要求较高的场景。在需要高效内存管理与节能并重的设计中，HY5PS561621BFP-2L 是一个理想的选择。
MT48LC16M1A2B4-6A、K4S641632K-F75、IS42S16400B-6T、CY7C1370BV33-167BGC、IDT71V416S161BGI
