容量：1GB（128MB x 8）
　　类型：LPDDR2 SDRAM
　　电压：1.2V - 1.8V（I/O）/ 1.2V（核心）
　　封装类型：BGA
　　引脚数量：100-pin
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：最高533MHz（等效1066Mbps数据速率）
　　组织结构：x16
　　数据宽度：16位
　　封装尺寸：6.0mm x 8.0mm x 0.8mm
　　制造工艺：基于Hynix的先进DRAM工艺

HY5PS561621AFR-25 的核心优势在于其卓越的低功耗性能和高数据传输能力。该器件支持低功耗自动刷新（LP-ASR）、温度补偿自刷新（TCSR）和深度掉电模式（DPD）等多种节能功能，有助于延长移动设备的电池寿命。此外，其双倍数据速率技术（DDR）允许在每个时钟周期内传输两次数据，从而提高了整体带宽效率。
　　该芯片采用差分时钟信号（CK/CK#）和命令/地址总线的预取机制，以提升操作的稳定性与速度。HY5PS561621AFR-25 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下正常运行，确保设备在高负载情况下的可靠性。其BGA封装形式提供了更好的电气性能和散热能力，适用于紧凑型电子设备的设计。
　　另外，该芯片具备兼容JEDEC标准的接口设计，便于系统集成和兼容性扩展。其1.2V核心电压和可变I/O电压（1.2V - 1.8V）支持与多种处理器和SoC平台的无缝对接。

HY5PS561621AFR-25 主要应用于中高端移动设备，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和移动热点等。此外，该芯片也适用于嵌入式计算平台、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及便携式医疗设备等对低功耗和高性能有较高要求的场景。由于其稳定性和兼容性，该芯片还可作为多任务处理设备的缓存存储器，满足图像处理、视频播放、多线程计算等高性能需求。

MT48LC16M16A2B4-6A, K4P5G324EB-FGC12