HY5PS561621AFR-25 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款高性能、低功耗的移动式动态随机存取存储器(Mobile DRAM),属于LPDDR2 SDRAM系列。该芯片专为移动设备设计,如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品,具有较高的数据传输速率和较低的能耗。HY5PS561621AFR-25 采用BGA(球栅阵列)封装,具备较高的集成度和稳定性,适用于需要高速数据处理的嵌入式系统。
容量:1GB(128MB x 8)
类型:LPDDR2 SDRAM
电压:1.2V - 1.8V(I/O)/ 1.2V(核心)
封装类型:BGA
引脚数量:100-pin
工作温度:-40°C 至 +85°C
时钟频率:最高533MHz(等效1066Mbps数据速率)
组织结构:x16
数据宽度:16位
封装尺寸:6.0mm x 8.0mm x 0.8mm
制造工艺:基于Hynix的先进DRAM工艺
HY5PS561621AFR-25 的核心优势在于其卓越的低功耗性能和高数据传输能力。该器件支持低功耗自动刷新(LP-ASR)、温度补偿自刷新(TCSR)和深度掉电模式(DPD)等多种节能功能,有助于延长移动设备的电池寿命。此外,其双倍数据速率技术(DDR)允许在每个时钟周期内传输两次数据,从而提高了整体带宽效率。
该芯片采用差分时钟信号(CK/CK#)和命令/地址总线的预取机制,以提升操作的稳定性与速度。HY5PS561621AFR-25 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下正常运行,确保设备在高负载情况下的可靠性。其BGA封装形式提供了更好的电气性能和散热能力,适用于紧凑型电子设备的设计。
另外,该芯片具备兼容JEDEC标准的接口设计,便于系统集成和兼容性扩展。其1.2V核心电压和可变I/O电压(1.2V - 1.8V)支持与多种处理器和SoC平台的无缝对接。
HY5PS561621AFR-25 主要应用于中高端移动设备,如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和移动热点等。此外,该芯片也适用于嵌入式计算平台、工业控制设备、车载信息娱乐系统(IVI)以及便携式医疗设备等对低功耗和高性能有较高要求的场景。由于其稳定性和兼容性,该芯片还可作为多任务处理设备的缓存存储器,满足图像处理、视频播放、多线程计算等高性能需求。
MT48LC16M16A2B4-6A, K4P5G324EB-FGC12