时间：2025/9/2 5:27:08
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HY5PS561621AFP-Y5 是一款由SK Hynix（现为Hynix Semiconductor）生产的高速低功耗DDR2 SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片。该型号属于移动DDR（mDDR）类别，专为便携式和低功耗应用设计，如智能手机、平板电脑和其他移动设备。该芯片采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有高集成度和优异的电气性能，适用于需要高带宽和低功耗的场景。
容量：128MB
组织结构：16M x16
电压：1.7V - 3.3V（核心电压1.8V）
时钟频率：最高166MHz
数据速率：333Mbps
数据宽度：16位
封装类型：FBGA
封装尺寸：54-ball FBGA
工作温度：-40°C至+85°C
HY5PS561621AFP-Y5 具有低功耗设计，支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够有效延长移动设备的电池寿命。
其内部存储结构为4个Bank，支持突发读写操作，支持突发长度为2、4、8以及连续模式，适应不同的数据传输需求。
该芯片支持LVTTL（低压晶体管-晶体管逻辑）接口电平，兼容多种主控器的设计需求，同时具备可编程CAS延迟（CL）和写入延迟（CWD），以优化系统性能。
此外，该芯片内置DLL（延迟锁定环）电路，用于精确控制数据输出时序，提高系统的稳定性。
在封装方面，54-ball FBGA不仅减小了PCB布局空间，还提升了散热性能，确保在高频率工作时仍能保持良好的稳定性。
HY5PS561621AFP-Y5 主要用于需要高性能和低功耗内存解决方案的移动设备，如早期的智能手机、PDA（个人数字助理）、便携式媒体播放器（PMP）、数码相机以及嵌入式系统。
由于其DDR2接口和低功耗特性，它也适用于工业控制设备、便携式医疗设备和车载信息娱乐系统等对功耗和性能有较高要求的应用场景。
在系统设计中，该芯片通常作为主内存或缓存使用，为处理器提供快速的数据访问能力，从而提升整体系统响应速度和运行效率。
同时，该芯片也可用于开发原型机和测试平台，适用于需要DDR2内存接口的各类嵌入式项目。
MT48LC16M16A2B4-3A, EMIF0832CFA-5A, K4T56083QF-LC50
