时间：2025/9/2 8:11:38
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HY5PS561621AFP-33 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速低压双倍数据速率同步动态随机存取存储器（LPDDR2 SDRAM）芯片。该器件专为低功耗和高性能应用设计，适用于移动设备、嵌入式系统和便携式电子产品。HY5PS561621AFP-33的存储容量为256MB，采用x16的数据总线宽度，封装形式为FBGA（细间距球栅阵列封装），工作电压为1.2V或1.8V，具体根据操作模式而定。该芯片符合JEDEC标准，具备良好的兼容性和稳定性，适合在对功耗敏感的环境中使用。
容量：256MB
组织结构：x16
电压：1.2V / 1.8V
封装：FBGA
工作温度：-40°C至85°C
数据速率：333MHz（等效于666Mbps）
接口类型：LPDDR2 SDRAM
时钟频率：166MHz
数据总线宽度：x16
刷新周期：64ms
CAS延迟：CL = 5/6/7可配置
tRC（行周期时间）：10ns
tRC（行周期时间）：10ns
HY5PS561621AFP-33芯片具备多项先进特性，以满足低功耗高性能应用的需求。
首先，该芯片采用LPDDR2技术，支持低电压操作，通常在1.2V或1.8V下运行，显著降低了功耗，适用于电池供电设备。此外，该芯片支持多种低功耗模式，如预充电电源下降模式（Precharge Power-Down Mode）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），从而在空闲或待机状态下进一步减少能耗。
其次，HY5PS561621AFP-33的数据传输速率高达666Mbps，支持高速数据处理，适用于需要快速响应的移动设备和嵌入式系统。该芯片的CAS延迟（CL）可配置为5、6或7，使系统可以根据性能需求进行优化。
另外，该存储器支持自动刷新和自刷新功能，确保数据的完整性，同时减少外部控制器的负担。自刷新模式下，芯片内部的刷新电路可维持数据存储，从而在低功耗状态下保持数据不丢失。
最后，HY5PS561621AFP-33采用了FBGA封装，具有较高的封装密度和良好的散热性能，适合高集成度电路设计。其工作温度范围为-40°C至85°C，确保在各种环境条件下稳定运行。
HY5PS561621AFP-33广泛应用于对功耗和性能都有较高要求的电子设备中。例如，该芯片常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式媒体播放器等移动终端，作为系统内存或图形缓存使用。此外，它也适用于工业控制设备、医疗仪器、智能家电和车载电子系统等嵌入式应用场景。由于其低功耗特性和较高的数据传输速率，HY5PS561621AFP-33也适合用于需要长时间运行且依赖电池供电的物联网（IoT）设备。该芯片的高可靠性和宽温范围使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作，因此也被广泛应用于工业自动化和智能监控系统中。
MT48LC16M16A2B4-3A, EMIF0832C6BF-33
