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HY5PS2G431AMP-Y5 发布时间 时间:2025/9/1 16:05:55 查看 阅读:9

HY5PS2G431AMP-Y5 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动LPDDR3 SDRAM类别。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,适用于移动设备和嵌入式系统,提供高带宽和低功耗特性。

参数

容量:2Gb
  类型:LPDDR3 SDRAM
  封装类型:BGA
  电压:1.2V
  数据速率:800Mbps
  I/O接口:x32
  工作温度:-40°C ~ 85°C

特性

HY5PS2G431AMP-Y5具备低功耗设计,适用于移动设备和嵌入式系统。其LPDDR3技术提供了较高的数据传输速率和较低的工作电压,有助于延长电池寿命并提高系统性能。此外,该芯片具备优异的热管理和数据保持能力,确保在高负载和复杂环境下稳定运行。
  这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,具有较高的集成度和可靠性,适合需要高性能内存解决方案的应用场景。其x32 I/O接口设计有助于提高数据吞吐量,同时减少PCB布局的复杂性。

应用

HY5PS2G431AMP-Y5通常应用于移动设备、平板电脑、智能电视、车载娱乐系统以及各种嵌入式系统。由于其高性能和低功耗特性,该芯片也适用于需要高效内存管理的工业控制和通信设备。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-6A, K4E6E324HB-FGC1

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