HY5PS1G831CFP-6 是由Hynix(现为SK Hynix)公司生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用DDR3 SDRAM技术,具有低功耗、高速度和高可靠性等特点,广泛应用于网络设备、工业控制、通信设备以及消费类电子产品中。其封装形式为FBGA,适用于各种嵌入式系统和主板设计。
容量:1Gb
类型:DDR3 SDRAM
数据速率:800Mbps
电压:1.35V - 1.5V
封装类型:FBGA
引脚数:54pin
工作温度:-40°C 至 +85°C
HY5PS1G831CFP-6 是一款高性能的DDR3 SDRAM芯片,具备低功耗和高数据传输速率的特点。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有优异的稳定性和可靠性。其工作电压范围为1.35V至1.5V,能够在多种电源环境下稳定运行,同时降低了系统的整体功耗。该芯片的数据传输速率达到800Mbps,能够满足高速数据处理的需求,适用于对性能要求较高的应用场景。
此外,HY5PS1G831CFP-6 采用54引脚的FBGA封装形式,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在空间受限的设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣的环境条件下正常工作,确保系统长时间稳定运行。
HY5PS1G831CFP-6 通常用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备中,如路由器、交换机、工业控制设备、通信模块、智能家电以及各种嵌入式系统。其高可靠性和宽温度范围使其在工业和通信领域具有广泛的应用前景。
HY5PS1G831CFP-6S, HY5PS1G831CFP-Y5