类型：LPDDR2 SDRAM
　　容量：1Gb
　　电压：1.8V
　　封装类型：BGA
　　引脚数：134
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据速率：200MHz
　　位宽：x4
　　时钟频率：100MHz
　　封装尺寸：8mm x 12mm

HY5PS1G421MP-E3 是一款专为低功耗应用场景设计的DRAM芯片，其核心特性包括低电压运行（1.8V），有效降低功耗，适用于电池供电设备。该芯片支持多种电源管理模式，包括预充电电源下降模式、自刷新模式和深度掉电模式，从而在不同使用情境下实现最佳能效。
　　此外，该芯片具有134个引脚的BGA封装形式，确保了高稳定性和良好的热管理能力。其工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在各种严苛的环境条件下稳定运行。该芯片的数据速率可达200MHz，配合100MHz的时钟频率，确保高效的数据传输性能。
　　该器件采用x4位宽配置，适用于需要高带宽和低功耗的嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、便携式多媒体设备及其他消费类电子产品。此外，HY5PS1G421MP-E3 还支持突发长度（Burst Length）可编程设置，允许根据系统需求进行优化，提升系统灵活性。

HY5PS1G421MP-E3 广泛应用于各种低功耗嵌入式系统和便携式电子产品中。例如，它常被用于智能手机和平板电脑的内存模块中，以提供高速缓存和临时数据存储功能。此外，该芯片也适用于工业控制设备、智能穿戴设备、汽车电子系统（如车载娱乐系统和驾驶辅助系统）以及物联网（IoT）设备等对功耗敏感的应用场景。
　　由于其低功耗特性和良好的温度适应能力，HY5PS1G421MP-E3 也适用于户外设备和移动计算设备，如便携式医疗设备、手持式测量仪器和远程监控设备。其高效的内存管理功能使其能够在资源受限的环境中保持良好的性能表现。

MT48LC16M1A2B4-25A, EMU0128A128AACP, K4P5G324EB-FGC1