HY5PS1G1631CFP-S5 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高性能、低功耗的移动型DRAM芯片,属于移动SDRAM(mSDRAM)类别。该芯片的容量为1Gb,采用x16位宽设计,适用于需要高带宽和低功耗的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统等。其封装形式为134-TFBGA(薄型细间距球栅阵列),有助于在有限空间内实现高密度存储。
类型:DRAM
容量:1Gb
组织结构:x16
封装:134-TFBGA
电压:2.3V - 3.6V
速度等级:-S5(对应54MHz工作频率)
接口:CMOS
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
HY5PS1G1631CFP-S5 具备低功耗特性,适合电池供电设备,支持自动刷新和自刷新模式,以降低功耗并提高系统效率。其高性能CMOS接口确保了数据传输的稳定性和高速性,适用于对功耗和性能都有较高要求的应用场景。此外,该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰能力和稳定性,能够在复杂的电磁环境中保持正常工作。
该芯片支持多种工作模式,包括快速页面模式和静态列地址模式,从而提供更高的灵活性和操作效率。其134-TFBGA封装不仅节省空间,还具有良好的热性能和电气性能,能够满足高密度PCB布局的需求。此外,该DRAM器件在设计上优化了功耗与性能之间的平衡,使其成为移动设备和其他便携式电子产品中的理想选择。
HY5PS1G1631CFP-S5 主要应用于需要高带宽和低功耗存储解决方案的设备,包括但不限于智能手机、平板电脑、手持式游戏设备、便携式媒体播放器、嵌入式控制系统以及工业自动化设备。由于其出色的性能和可靠性,该芯片也常用于需要临时数据缓存和高速数据访问的系统中,例如图形处理器缓存、通信模块缓存等场景。
IS42S16100E-5TL / MT48LC16M1A2B4-5A / K4S641632K-F5A0