容量：128Mbit
　　组织结构：x16
　　电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　时钟频率：高达200MHz
　　数据速率：400Mbps
　　访问时间：5.4ns
　　封装尺寸：8mm x 8mm

HY5PS12821AF-C4 是一款专为低功耗应用场景设计的 Mobile DDR SDRAM 芯片。它支持多种低功耗模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）、深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）和预充电掉电模式（Precharge Power-Down Mode），这些功能可以有效降低设备在待机或轻负载状态下的功耗，延长电池续航时间。此外，该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具有良好的热稳定性和电气性能，适用于高温和复杂电磁环境下的应用。
　　该芯片的DDR接口支持双倍数据速率传输，即在每个时钟周期的上升沿和下降沿都进行数据传输，从而实现高达400Mbps的数据速率。这种高速数据传输能力使其适用于需要大量数据处理的应用，如高清视频播放、多任务处理和高性能图形渲染。此外，HY5PS12821AF-C4 支持突发长度（Burst Length）可编程设置，用户可以根据应用需求选择不同的突发模式，以优化数据传输效率。
　　在封装方面，该芯片采用小型化的90引脚FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，尺寸仅为8mm x 8mm，适合高密度PCB布局，有助于减少设备的整体尺寸，适用于轻薄型移动设备的设计。FBGA封装还具有良好的散热性能和电气连接稳定性，能够确保芯片在高频工作状态下的可靠性。
　　HY5PS12821AF-C4 还支持自动预充电（Auto Precharge）和突发终止（Burst Terminate）等功能，进一步提高了内存访问的灵活性和效率。其内部采用同步控制机制，所有操作均与时钟信号同步，从而简化了时序控制逻辑，提高了系统的稳定性和兼容性。

HY5PS12821AF-C4 主要用于需要高性能、低功耗内存的移动电子设备，如智能手机、平板电脑、便携式游戏机、数码相机、便携式媒体播放器（PMP）以及嵌入式系统等。其高速数据传输能力和低功耗特性使其非常适合用于图形密集型应用和多任务处理场景。例如，在智能手机中，该芯片可用于支持高分辨率显示、多窗口操作、高清视频播放和复杂应用程序的运行；在嵌入式系统中，它可以作为主内存或缓存，用于提升系统响应速度和处理能力。此外，该芯片也可用于工业控制、车载导航系统、智能穿戴设备等对功耗和空间有严格要求的应用领域。

MT48LC16M16A2B4-6A, EMIF0832AA-5A, K4T1G164QF-HCF7