HY5PS121621F-E3 时间：2025/9/2 5:08:42 阅读：8

HY5PS121621F-E3 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高性能、低功耗的移动双倍数据速率同步动态随机存取存储器（Mobile DDR SDRAM）芯片。该芯片专为移动设备和便携式电子产品设计，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统等，能够在较低电压下运行，从而延长电池寿命并降低功耗。HY5PS121621F-E3 采用FBGA封装，容量为128MB，工作频率可达166MHz，支持自动刷新和自刷新功能，适用于多种嵌入式应用环境。

参数

容量：128MB
　　组织方式：16M x16
　　电压：1.7V - 3.3V
　　频率：166MHz
　　封装：FBGA
　　数据宽度：16位
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　工艺：CMOS
　　工作模式：同步模式
　　封装尺寸：54-ball FBGA

特性

HY5PS121621F-E3 具备多项先进特性，以满足现代移动设备对高性能和低功耗的双重需求。首先，该芯片支持低电压运行，典型工作电压为1.8V，可在1.7V至3.3V之间稳定工作，有效降低功耗并延长电池续航时间。其次，其最高工作频率可达166MHz，提供高达3.33GB/s的带宽，适用于需要高速数据处理的应用场景。
　　此外，HY5PS121621F-E3 支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在系统空闲时自动维护数据完整性，减少控制器负担。该芯片还具备突发模式（Burst Mode），支持突发长度为1、2、4、8等多种配置，提升数据访问效率。
　　在封装方面，HY5PS121621F-E3 采用54-ball FBGA封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能，非常适合空间受限的便携式设备。其支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在各种严苛环境下稳定运行。

应用

HY5PS121621F-E3 主要应用于需要高性能、低功耗存储解决方案的移动设备和嵌入式系统。常见应用包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、GPS导航仪、便携式游戏机等。此外，该芯片也适用于工业控制设备、医疗监测设备、通信模块和消费类电子产品中的缓存或主存扩展。
　　由于其低功耗特性和工业级温度适应能力，HY5PS121621F-E3 也非常适合用于需要长时间运行且对能耗敏感的物联网（IoT）设备。例如，可作为无线路由器、智能家居控制中心、安防摄像头等设备的主存储器，以提升系统响应速度和数据处理能力。