容量：128MB
　　数据宽度：16位
　　电压：2.5V
　　封装类型：FBGA
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　存储器类型：Mobile SDRAM
　　时钟频率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　数据速率：166MHz
　　组织结构：1M x 16 x 8 Banks
　　刷新周期：64ms
　　接口类型：同步
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　功耗：低功耗设计

HY5PS121621CFP-S6 作为一款 Mobile SDRAM 芯片，具备多项优异特性，适用于高集成度和低功耗需求的便携设备。首先，它采用了同步接口技术，使数据传输与时钟信号保持同步，提高了数据访问的稳定性和效率。其 166MHz 的时钟频率能够满足中高端嵌入式系统的处理需求，保证系统运行的流畅性。
　　其次，该芯片支持多种低功耗模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh），在设备待机或休眠状态下能够显著降低能耗，延长电池续航时间。此外，其 54-ball FBGA 封装方式不仅节省了 PCB 空间，还提高了抗干扰能力，增强了设备的可靠性。
　　HY5PS121621CFP-S6 的 1M x 16 x 8 Banks 组织结构使其具备良好的存储密度和访问效率，适用于图像缓存、程序存储和临时数据存储等应用场景。其 64ms 的刷新周期确保了数据的稳定性，避免因电荷泄漏导致的数据丢失问题。同时，该芯片的工业级工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、车载系统和智能终端等领域。
　　此外，该芯片支持突发模式（Burst Mode），允许在一次访问中连续读取或写入多个数据，进一步提升了数据吞吐率。其同步控制逻辑也支持精确的时序控制，便于系统设计和优化。

HY5PS121621CFP-S6 主要应用于需要低功耗、高性能和小尺寸内存解决方案的嵌入式系统和便携设备。常见的应用包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、工业控制系统、车载信息娱乐系统（IVI）、医疗设备和通信模块等。由于其支持多种低功耗模式和工业级温度范围，该芯片也广泛用于需要长时间稳定运行的物联网（IoT）设备和边缘计算设备。此外，该芯片也可用于图像处理、图形缓存和嵌入式操作系统运行等场景。

IS42S16160B-6T、K4S561632K-F75、MT48LC16M16A2B4-6A、EM685165TS-6G、CY7C1370BV33-166BZS