时间：2025/9/1 21:44:52
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HY5PS121621BFP-Y5-T是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的高性能、低功耗的移动型DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于移动设备、嵌入式系统和需要高带宽内存的便携式电子产品中。该型号属于LPDDR2（低功耗双倍数据速率2代）系列，具有较高的数据传输速率和能效比。
容量：1Gb（128MB）
组织结构：x16位宽
电压：1.2V至1.8V（核心电压与I/O电压分离）
封装：BGA（球栅阵列封装）
封装尺寸：100-ball BGA
数据速率：800Mbps
工作温度：-40°C至+85°C
HY5PS121621BFP-Y5-T具备低功耗设计，适合用于电池供电设备，支持深度低功耗模式（如自刷新和掉电模式）以延长设备续航时间。
其800Mbps的数据速率可以满足高带宽需求，适用于高性能处理器的内存子系统。
该芯片采用x16位宽设计，提供更高的数据吞吐能力，并支持突发访问模式，提高内存访问效率。
此外，该DRAM芯片具备良好的稳定性和兼容性，适用于多种嵌入式平台和手持设备。
采用BGA封装形式，不仅提升了芯片的散热性能，还增强了电气连接的稳定性，适合在空间受限的环境中使用。
HY5PS121621BFP-Y5-T广泛应用于智能手机、平板电脑、工业控制设备、车载导航系统、通信模块等需要高性能低功耗内存的嵌入式系统中。
其高带宽和低功耗特性使其成为便携式多媒体设备和高性能嵌入式计算平台的理想选择。
该芯片也适用于需要快速数据处理能力的智能穿戴设备、物联网终端以及高端消费类电子产品。
此外，由于其稳定的工作温度范围和可靠的封装设计，也适用于工业和车载环境中的关键控制系统。
EM5AD16165BA-6H-T, MT48LC16M16A2B4-6A, K4P5H1646F-BC14
