HY5MS7B6BLFP-H 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高性能低功耗移动DRAM芯片,属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)系列。该型号广泛应用于高端智能手机、平板电脑以及其他对功耗敏感的便携式电子设备中,具有较高的数据传输速率和较低的能耗特性。
容量:8Gb(128MB x64)
封装类型:BGA(Ball Grid Array)
引脚数:128-pin
电压:1.1V / 0.6V(核心电压/IO电压)
数据速率:3200Mbps
接口类型:LPDDR4 SDRAM
工作温度范围:-40°C至+85°C
HY5MS7B6BLFP-H 具备多项先进的低功耗技术,包括自动刷新、自刷新、深度掉电模式等,以优化电池续航能力。该芯片采用双倍数据速率架构,能够在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据,从而显著提高数据带宽。此外,该器件支持多种突发长度模式,适应不同的数据访问需求。
在物理结构上,HY5MS7B6BLFP-H 使用了小型化的128引脚BGA封装,适合高密度主板设计。其IO电压为0.6V,内核电压为1.1V,相较于前代LPDDR3产品,在同等性能下功耗降低了约30%以上。该芯片还支持温度传感器和动态电压调节功能,以进一步提升能效。
HY5MS7B6BLFP-H 的设计还兼顾了高可靠性和抗干扰能力,适用于移动设备中复杂的电磁环境。其支持的自动预充电和预充电命令机制,有助于提升内存访问效率并减少延迟。
该芯片主要用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、移动计算设备(如轻薄笔记本和平板二合一设备)以及需要高带宽和低功耗特性的嵌入式系统。HY5MS7B6BLFP-H 可作为主内存或图形内存使用,为设备提供流畅的多任务处理能力和高质量的图形渲染性能。
在通信设备中,该芯片也常用于基站模块、无线接入点(AP)设备和高速路由器等场景,以满足高数据吞吐量和低延迟的运行需求。此外,一些工业自动化设备和智能家电也开始采用LPDDR4标准的内存芯片,以提升整体系统性能和能效。
MT53B128M64A2B4-046 WT, K4FAB164QB-BGCT