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HY5MS5B2ALFP-Q 发布时间 时间:2025/9/1 21:57:33 查看 阅读:9

HY5MS5B2ALFP-Q是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该芯片属于移动SDRAM(mSDRAM)系列,专为便携式电子设备如智能手机、平板电脑和移动计算设备设计。HY5MS5B2ALFP-Q采用先进的CMOS技术制造,具备高速数据访问能力,同时通过多种低功耗模式优化功耗,适合电池供电设备的应用需求。该芯片采用小型化的FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,尺寸紧凑,便于在空间受限的设备中集成。

参数

容量:128MB
  数据宽度:16位
  电压:1.7V - 3.3V
  封装类型:FBGA
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  时钟频率:最高可达166MHz
  存储类型:DRAM
  内存组织:x16

特性

HY5MS5B2ALFP-Q具备多项优异特性,确保其在高性能便携设备中的稳定运行。首先,该芯片支持多种低功耗模式,包括自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh),在待机状态下显著降低功耗,延长设备电池寿命。其次,该SDRAM芯片采用同步接口设计,与系统时钟同步工作,提高数据传输效率和稳定性。此外,其高速访问能力使其能够满足对实时性能要求较高的应用场景,如图形处理、多媒体播放和高速缓存管理。HY5MS5B2ALFP-Q还具备良好的温度适应性,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适用于各种严苛环境。FBGA封装不仅减小了芯片体积,还提升了散热性能和电气性能,增强了系统的可靠性和耐用性。

应用

HY5MS5B2ALFP-Q广泛应用于需要中等容量高速内存的移动和便携式电子产品中,包括智能手机、平板电脑、手持游戏设备、数码相机、便携式导航设备(PND)以及嵌入式计算系统。此外,该芯片也可用于工业控制设备、医疗监测设备和智能穿戴设备等对功耗和体积有较高要求的领域。由于其低功耗特性和高稳定性,HY5MS5B2ALFP-Q也适用于需要长时间运行而无需频繁充电的物联网(IoT)设备。

替代型号

IS42S16400F-6T、EM685165TS-6G、MT48LC16M16A2B4-6A

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