容量：64Mbit
　　组织结构：4M x 16
　　封装类型：TSOP
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　访问时间（tRC）：-4为4.5ns，-5为5.4ns
　　刷新方式：自动刷新（Auto-refresh）
　　数据输入/输出方式：共用数据/地址引脚（Multiplexed Address/Data）

HY5DV641622AT-4/-5 具有多种关键特性，使其在特定应用中表现出色。首先，其快速页面模式允许在同一行地址下快速访问多个列地址，从而提高数据读写效率。其次，该芯片支持自动刷新功能，减少了外部控制器的负担，提高了系统的稳定性。此外，TSOP封装不仅节省空间，还具有良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。芯片的低功耗设计也使其适用于对能耗有要求的应用场景。最后，其3.3V电源电压设计兼容大多数现代控制器，降低了系统设计的复杂性。
　　HY5DV641622AT-4 和 HY5DV641622AT-5 的主要区别在于访问时间，前者为4.5ns，后者为5.4ns，因此-4型号更适合需要更高性能的应用，而-5型号则可能在成本控制方面更具优势。两种型号都符合工业级温度标准，适用于各种恶劣环境下的稳定运行。

HY5DV641622AT-4/-5 主要用于需要大容量DRAM但对成本和功耗有一定要求的场景。常见的应用包括早期的个人计算机、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及某些类型的测试和测量仪器。在嵌入式系统中，该芯片可以作为主内存或缓存使用，支持操作系统和应用程序的运行。在网络设备中，该DRAM芯片可用于数据包缓冲和转发处理。由于其稳定性和兼容性，该型号也常被用于工业自动化控制系统，用于存储临时数据和程序指令。虽然现代计算机系统已转向更先进的DRAM技术（如DDR SDRAM），但在一些遗留系统或对性能要求不极端的应用中，HY5DV641622AT-4/-5 仍具有实用价值。

HY5DV641622AT-4S/HY5DV641622AT-5S