容量：64Mbit
　　组织结构：16M x 4
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54
　　接口类型：并行
　　最大工作频率：166MHz
　　刷新周期：64ms

HY5DV641622AT-33 是一款高性能的低功耗SDRAM芯片，适用于多种应用环境。该芯片支持同步操作，可以与系统时钟同步进行数据读写，从而提高整体系统的数据传输效率。其TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用，非常适合对空间要求较高的设备。
　　此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，可以在不访问数据时保持存储内容的完整性，从而降低功耗。其工作电压范围为2.3V至3.6V，适应性强，可以在多种电源条件下稳定运行。
　　HY5DV641622AT-33 提供了高速的数据访问能力，最大访问时间仅为5.4ns，能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。其支持的166MHz工作频率使其能够处理大量的数据流，适用于图像处理、视频缓存、通信缓冲等高性能应用场景。
　　该芯片的存储容量为64Mbit，组织结构为16M x 4，这意味着它可以在4位数据总线上提供16M地址的存储能力，非常适合需要中等存储容量但要求快速访问的系统。

HY5DV641622AT-33 通常被用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统中，例如路由器、交换机、工业控制器、安防监控设备、医疗仪器、智能家电等。由于其高速性和低功耗特性，也常被用于视频处理模块、图像传感器缓冲、通信设备的数据缓冲器等应用场景。

IS42S16100A-6T、CY7C1370B-166AXC、IDT71V124SA90PFG