容量：256MB
　　类型：DDR SDRAM
　　数据速率：166MHz（DDR200）
　　电压：2.3V - 3.6V
　　数据宽度：16位
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　刷新周期：64ms

HY5DU561622ETP-JDR-C 是一款高性能的DRAM芯片，采用了先进的CMOS技术，提供高速数据存取能力。该芯片支持同步接口，使得数据传输更加高效，同时具有较低的功耗，适用于需要长时间运行的设备。其166MHz的时钟频率允许在每个时钟周期内传输两次数据（上升沿和下降沿），从而实现双倍数据速率（DDR），有效数据速率可达200MHz。
　　此外，该芯片具备16位的数据宽度，可提供较宽的数据通道，提高整体系统性能。采用TSOP封装形式，有助于提高封装密度并降低引脚间的干扰，适合在空间受限的应用中使用。该芯片的工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境下的设备，如工业控制系统、通信设备和车载电子系统。
　　HY5DU561622ETP-JDR-C 还支持自动刷新和自刷新模式，有助于延长数据保持时间并降低功耗，非常适合需要长时间运行且对功耗有要求的设备。

HY5DU561622ETP-JDR-C 适用于多种需要高速存储器的电子设备，包括但不限于以下领域：
　　1. 工业自动化控制系统：用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机等设备，提供快速的数据存储和访问能力。
　　2. 通信设备：如路由器、交换机、基站等，用于缓存数据包和临时数据存储。
　　3. 消费类电子产品：如数字电视、机顶盒、多媒体播放器等，用于视频和音频数据的缓存。
　　4. 车载电子系统：如车载导航系统、车载娱乐系统等，用于实时数据处理和存储。
　　5. 医疗设备：如超声波设备、心电图仪等，用于处理和存储医疗数据。

MT48LC16M2A2B4-6A, KM416S1623CT-B6