时间：2025/9/1 16:24:21
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HY5DU561622CF-J 是由现代（Hyundai）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的存储密度和较低的功耗，适用于各种需要大容量内存的电子设备。这款芯片采用TSOP封装，具有良好的热稳定性和电气性能，适合在工业和商业应用中使用。
容量：256MB
数据宽度：16位
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
存储温度：-55°C 至 125°C
工作温度：-40°C 至 85°C
最大工作频率：166MHz
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
数据保持电压：2V
HY5DU561622CF-J 是一款高性能的DRAM芯片，采用先进的CMOS技术制造，具有较低的功耗和较高的数据存储密度。该芯片的封装形式为TSOP，具有良好的热管理和电气性能，适用于需要高可靠性和稳定性的应用场景。其宽工作电压范围（2.3V至3.6V）使得该芯片能够在多种电源条件下正常工作，适应性强。此外，该芯片支持高速数据访问，最大工作频率可达166MHz，访问时间仅为5.4ns，能够满足高速数据处理的需求。其64ms的刷新周期确保了数据的长期存储稳定性。该芯片的工作温度范围为-40°C至85°C，适用于大多数工业环境。存储温度范围更宽，可达-55°C至125°C，确保在极端环境下的存储安全。
HY5DU561622CF-J 主要用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费类电子产品以及各种需要大容量内存的应用场景。由于其高速性能和低功耗设计，该芯片特别适用于需要频繁读写操作的设备，如网络路由器、交换机、打印机、数字电视、机顶盒等。此外，它也广泛用于汽车电子系统、医疗设备和测试测量仪器中，为这些设备提供稳定可靠的内存支持。
IS42S16256B-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、K4S641632K-TC10
