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HY5DU561622AT-D43 发布时间 时间:2025/9/1 20:58:53 查看 阅读:5

HY5DU561622AT-D43 是现代(Hyundai)电子推出的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于需要高性能内存支持的电子设备中。这款芯片采用先进的DRAM技术,具有较高的存储密度和访问速度,适用于计算机系统、嵌入式设备、工业控制系统等领域。

参数

容量:512Mb(64M x 8)
  组织结构:x8
  工作电压:2.3V - 3.6V
  数据传输速率:166MHz
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  引脚数量:54
  接口类型:异步
  刷新周期:64ms
  工作模式:异步模式

特性

HY5DU561622AT-D43 是一款异步DRAM芯片,具备低功耗和高可靠性的特点,适用于各种工业和消费类电子产品。其异步接口设计允许灵活的时序控制,适用于不依赖固定时钟频率的系统设计。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,有效延长数据保持时间并降低功耗。
  此外,该芯片采用TSOP封装,具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间,非常适合空间受限的应用场景。其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其在不同电源条件下均能稳定运行,提高了系统的兼容性和适应性。
  该DRAM芯片还具备高速数据访问能力,支持166MHz的数据传输速率,能够满足对数据吞吐量有较高要求的应用场景。其64ms的刷新周期确保了在不频繁刷新的情况下仍能保持数据完整性,降低了系统控制器的负担。

应用

HY5DU561622AT-D43 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、消费类电子产品(如数码相机、多媒体播放器)以及需要大容量缓存的智能设备中。由于其高性能和低功耗的特性,也常用于网络设备、便携式仪器和图像处理系统中。

替代型号

HY5DV561622AT-D43, CY7C1380D-166AXI, IDT71V1216SA8BQBG, IS61LV51216AL-10B4

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