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HY5DU281622T-H 发布时间 时间:2025/9/2 1:59:48 查看 阅读:3

HY5DU281622T-H 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片采用异步工作方式,具备低功耗设计,适用于需要高性能存储器的嵌入式系统、消费类电子产品和工业控制设备。该芯片为16位数据宽度,容量为256K x 16,总容量为4MB,采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适合空间受限的应用场景。

参数

容量:256K x 16位
  数据宽度:16位
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  最大访问时间:5.4ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:54引脚

特性

HY5DU281622T-H 采用高性能CMOS工艺制造,具有高速访问能力,其最大访问时间为5.4ns,这使得它能够在高频率环境下稳定运行。该芯片支持异步操作,不需要时钟信号同步,简化了控制逻辑,适用于多种传统嵌入式系统设计。
  在功耗方面,HY5DU281622T-H 采用了低功耗设计技术,适合对能耗敏感的应用场景。其3.3V工作电压降低了功耗,同时保持了与早期5V系统的兼容性。芯片内部集成了地址和数据缓冲器,提高了系统的稳定性和可靠性。
  此外,该芯片采用工业级温度范围设计,能够在-40°C至+85°C之间稳定工作,适用于恶劣环境条件下的工业控制、通信设备和网络设备。TSOP封装形式不仅减小了PCB板的占用空间,还提高了散热性能和电气性能,适合高密度布局的电路设计。
  该芯片还具备自动刷新和自刷新功能,能够在低功耗模式下维持数据完整性,延长系统电池寿命。这使得它非常适合便携式设备和低功耗应用场合。

应用

HY5DU281622T-H 适用于多种需要高速存储器的嵌入式系统,如工业控制设备、通信模块、网络设备、打印机、扫描仪、POS终端等。由于其异步接口设计,该芯片也常用于传统微控制器系统中作为外部存储器扩展,例如在8/16位微控制器应用中提供高速缓存支持。此外,该芯片还可用于消费类电子产品,如音频设备、视频解码器以及需要临时数据缓存的物联网设备中。

替代型号

IS61LV25616-10T, CY62148EVLL-48ZS, A6216208A-5NIN

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