HY5DU281622ETP-5 时间：2025/9/2 11:24:08 阅读：24

HY5DU281622ETP-5 是一款由现代（Hynix，现为SK Hynix）生产的16兆位（16M）DRAM（动态随机存取存储器）芯片，采用16位数据宽度，属于早期计算机内存和嵌入式系统中常见的存储器组件。该芯片广泛应用于需要中等容量存储的嵌入式设备、工业控制系统、通信设备以及老式个人计算机的内存模块中。

参数

容量：16Mbit
　　数据宽度：16位
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
　　时钟频率：166MHz（访问时间5.4ns）
　　存储结构：4M x 16
　　行列地址复用方式：A0-A12为行地址，A13-A17为列地址
　　刷新周期：64ms
　　

特性

HY5DU281622ETP-5 是一款高性能的DRAM芯片，具有较低的功耗和较高的集成度。该芯片采用16位数据宽度设计，适用于需要快速数据访问的应用场景。其TSOP封装形式具有良好的电气性能和散热能力，适合在高密度PCB设计中使用。
　　该芯片支持标准的DRAM控制信号，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE），便于与多种控制器进行接口。此外，其166MHz的工作频率使其在当时能够满足较高性能系统的内存访问需求。
　　HY5DU281622ETP-5 通常采用异步工作方式，适合用于需要灵活控制内存访问时序的系统中。它具备64ms的自动刷新周期，能够有效保持数据完整性，同时降低了外部控制器的负担。
　　该DRAM芯片还支持多种低功耗模式，例如待机模式和自刷新模式，有助于在电池供电或节能型设备中延长使用时间。

应用

HY5DU281622ETP-5 常见于工业控制系统、通信设备、图像处理模块、老式个人计算机内存条（如SO-DIMM模块）以及嵌入式系统中。它适用于需要较大缓存或临时存储空间的场景，如图形缓存、数据缓冲和系统内存扩展。此外，该芯片也用于测试设备、测量仪器和医疗电子设备中，以提供稳定的临时数据存储支持。