HY5DU281622ETP-5 是一款由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的16兆位(16M)DRAM(动态随机存取存储器)芯片,采用16位数据宽度,属于早期计算机内存和嵌入式系统中常见的存储器组件。该芯片广泛应用于需要中等容量存储的嵌入式设备、工业控制系统、通信设备以及老式个人计算机的内存模块中。
容量:16Mbit
数据宽度:16位
封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
电源电压:3.3V
工作温度范围:工业级(通常为-40°C至+85°C)
时钟频率:166MHz(访问时间5.4ns)
存储结构:4M x 16
行列地址复用方式:A0-A12为行地址,A13-A17为列地址
刷新周期:64ms
HY5DU281622ETP-5 是一款高性能的DRAM芯片,具有较低的功耗和较高的集成度。该芯片采用16位数据宽度设计,适用于需要快速数据访问的应用场景。其TSOP封装形式具有良好的电气性能和散热能力,适合在高密度PCB设计中使用。
该芯片支持标准的DRAM控制信号,包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)和写使能(WE),便于与多种控制器进行接口。此外,其166MHz的工作频率使其在当时能够满足较高性能系统的内存访问需求。
HY5DU281622ETP-5 通常采用异步工作方式,适合用于需要灵活控制内存访问时序的系统中。它具备64ms的自动刷新周期,能够有效保持数据完整性,同时降低了外部控制器的负担。
该DRAM芯片还支持多种低功耗模式,例如待机模式和自刷新模式,有助于在电池供电或节能型设备中延长使用时间。
HY5DU281622ETP-5 常见于工业控制系统、通信设备、图像处理模块、老式个人计算机内存条(如SO-DIMM模块)以及嵌入式系统中。它适用于需要较大缓存或临时存储空间的场景,如图形缓存、数据缓冲和系统内存扩展。此外,该芯片也用于测试设备、测量仪器和医疗电子设备中,以提供稳定的临时数据存储支持。
IS42S16100A-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1041CV33-10ZSXC、K4S641632K-TC75