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HY5DU121622DLTP-D43I 发布时间 时间:2025/9/2 4:10:49 查看 阅读:8

HY5DU121622DLTP-D43I 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高性能、低功耗的DRAM存储器,广泛应用于嵌入式系统、工业控制、通信设备和消费类电子产品中。该型号采用16位数据宽度的组织结构,具备较大的存储容量和较快的访问速度,适合对存储性能要求较高的应用场景。芯片采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,具有良好的电气性能和稳定性。

参数

容量:256MB
  组织结构:16M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  时钟频率:最大166MHz
  数据宽度:16位
  刷新周期:64ms
  访问时间:5.4ns(最大)

特性

HY5DU121622DLTP-D43I 是一款高性能的DRAM存储器,其主要特性包括高存储密度、低功耗设计以及宽工作温度范围,适合多种应用环境。
  该芯片的容量为256MB,采用16M x 16的组织结构,使其在数据存取过程中具备较高的效率和灵活性。电压范围为2.3V至3.6V,确保其在不同电源环境下都能稳定运行,适用于多种供电系统。
  该DRAM芯片支持最大166MHz的时钟频率,能够实现高速数据传输,适用于对性能要求较高的嵌入式控制系统和通信设备。同时,其访问时间仅为5.4ns(最大),有效提升了系统的响应速度和数据处理能力。
  封装形式为TSOP,具有较小的封装体积和良好的热稳定性,适合在空间受限的设备中使用。此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备较强的环境适应能力,可在工业级应用中稳定运行。
  HY5DU121622DLTP-D43I 还支持自动刷新和自刷新功能,能够在不牺牲性能的前提下有效降低功耗,延长设备的续航时间。其64ms的刷新周期确保了数据的长期存储稳定性,避免因数据丢失导致的系统故障。

应用

HY5DU121622DLTP-D43I 主要用于需要大容量高速存储的嵌入式系统和工业控制设备,如工业计算机、自动化控制系统、网络通信设备、视频采集与处理设备等。由于其低功耗设计和宽温工作范围,也广泛应用于户外设备和移动终端中,例如智能电表、车载电子设备、安防监控系统等。此外,该芯片还可用于消费类电子产品,如智能电视、游戏机、数码相机等,提供稳定可靠的存储支持。

替代型号

HY5DU121622DLT-H43C, HY5DU121622DLT-B43A, MT48LC16M22A2B4-6A, K4S641632E-TC60

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