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HY5DU113222FM-28 发布时间 时间:2025/9/1 15:22:31 查看 阅读:5

HY5DU113222FM-28 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,广泛用于需要高速数据访问的电子设备中。

参数

容量:128MB
  数据宽度:16位
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  引脚数:54-pin
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  时钟频率:166MHz
  存取时间:28ns

特性

HY5DU113222FM-28 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,适用于需要高带宽和快速响应时间的应用场景。其同步设计允许与系统时钟同步工作,提高了数据传输效率。该芯片的TSOP封装形式有助于减小PCB(印刷电路板)空间占用,适合高密度设计。此外,其工作温度范围为工业级标准,能够在恶劣环境中稳定运行。
  该芯片支持突发模式(burst mode)操作,允许在单个读取或写入周期内传输多个数据单元,从而显著提高内存吞吐量。其166MHz的时钟频率和28ns的存取时间确保了快速的数据访问,适用于需要实时数据处理的系统。此外,HY5DU113222FM-28的16位数据总线宽度提供了良好的数据带宽,使其在图像处理、通信设备和嵌入式系统中表现出色。
  低功耗设计是HY5DU113222FM-28的另一大特点,适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。其3.3V的工作电压降低了功耗,同时保证了良好的电气性能。该芯片的工业级温度范围确保其在高温或低温环境下仍能稳定运行,适用于工业自动化、车载系统和网络设备等应用场景。

应用

该芯片通常用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备、图像处理系统以及通信设备等。其高带宽和低延迟特性使其在需要快速数据访问的场景中表现优异。

替代型号

IS42S16100A-6T、K4S641632E-UCB0

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