时间：2025/9/2 8:27:53
阅读：18
HY57V651620BTC-10P 是一款由现代（Hyundai）公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片的型号定义了其功能和性能，其中包含容量、组织结构、速度等级和封装形式等信息。HY57V651620BTC-10P 是一种16M x 16位、同步动态存储器（SDRAM），工作电压为3.3V，适用于需要高速数据存取的电子设备。
容量：256MB (16M x 16位)
类型：SDRAM
速度等级：-10P（时钟频率为100MHz，存取时间为5.4ns）
工作电压：3.3V
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
引脚数：54-pin
组织结构：x16
HY57V651620BTC-10P 是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），具备低功耗和高性能的特点。其同步接口允许与主控制器或处理器的时钟同步，提高数据传输效率。该芯片采用CMOS工艺制造，确保了稳定性和低功耗运行。其TSOP封装形式有助于在紧凑的电路板上安装，并提供良好的散热性能。该SDRAM支持突发模式访问，允许在连续的存储器访问中提高效率。此外，它还支持自动刷新和自刷新模式，以保持数据的完整性并进一步降低功耗。这种芯片广泛用于需要较大内存容量和较高数据吞吐量的应用场景，例如个人计算机、嵌入式系统、网络设备和工业控制系统。
HY57V651620BTC-10P 主要用于对存储容量和速度有较高要求的电子设备中。典型应用包括个人计算机的主内存模块（如SIMM或DIMM）、嵌入式系统的内存扩展、工业控制设备中的高速缓存、网络设备如路由器和交换机的数据存储，以及消费类电子产品如高端游戏机和多媒体设备的内存模块。由于其高速存取能力和较低的功耗，该芯片在各种高性能系统中表现出色。
IS42S16160B-10B, MT48LC16M16A2B4-10A
