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HY57V64820HGTP-H 发布时间 时间:2025/9/1 23:09:43 查看 阅读:6

HY57V64820HGTP-H是一款由现代(Hyundai,现SK Hynix)生产的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于标准的DRAM产品系列。该芯片采用256K x 16 x 4结构,容量为64Mbit(8MB),主要用于需要高速数据存取的嵌入式系统、通信设备和工业控制设备中。该芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,适用于高密度、高性能的存储应用。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:256K x 16 x 4
  封装类型:TSOP
  电源电压:3.3V
  访问时间:5.4ns(最大)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据宽度:16位
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  时钟频率:166MHz
  封装尺寸:54引脚

特性

HY57V64820HGTP-H具有高速访问能力,其访问时间低至5.4ns,确保了数据读写效率的高效性,适用于对性能要求较高的应用场景。
  该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗特性,尤其在待机或自刷新模式下,功耗进一步降低,有助于延长设备的电池寿命。
  支持自动刷新和自刷新功能,能够有效保持数据完整性,同时减少外部控制器的负担。
  其TSOP封装形式提供了良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB布局。
  工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保该芯片能够在各种恶劣环境下稳定运行,广泛适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等场景。
  该芯片具有16位数据宽度,提供较大的数据吞吐能力,适合处理大量数据的应用。

应用

HY57V64820HGTP-H广泛应用于嵌入式系统、网络通信设备、工业控制设备、视频处理设备、测试测量仪器以及高端消费电子产品中。由于其高速性和大容量特点,特别适合用于需要快速缓存或主存储器的场合,如路由器、交换机、图像采集设备和工业计算机等。此外,该芯片也适用于需要长时间稳定运行的工业设备,其宽温度范围和高可靠性使其在恶劣环境中也能保持稳定性能。

替代型号

IS42S16800G-6T, MT48LC16M8A2B4-6A, CY7C1380D-5A

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