时间：2025/9/2 3:08:11
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HY57V64820HGLT-P 是现代（Hyundai）生产的一款DRAM芯片，属于高速动态随机存取存储器。该芯片广泛应用于需要高速数据访问的电子设备中，例如个人电脑、服务器、嵌入式系统等。HY57V64820HGLT-P 采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高集成度和高可靠性的特点。
容量：64Mbit
组织方式：4 Banks × 16Mbit
数据宽度：16位
电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
时钟频率：最大可达166MHz
访问时间：5.4ns
HY57V64820HGLT-P 的主要特性包括高速数据访问能力、低功耗设计以及宽工作温度范围，使其适用于多种工业级应用环境。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不消耗额外功耗的情况下保持数据完整性。此外，HY57V64820HGLT-P 还支持突发访问模式，提高了数据传输效率。其CMOS工艺确保了低功耗和高抗干扰能力，适用于需要长时间运行的系统。
HY57V64820HGLT-P 广泛应用于工业控制、网络设备、通信设备、视频处理系统、嵌入式系统以及消费类电子产品。由于其高性能和低功耗特性，该芯片也常用于需要大量数据缓存和快速访问的场合，如图像处理、路由器缓存、智能卡读写器等。
IS42S16800B-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1370BV33-667BZS、K4S641632H-UC75
