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HY57V643220CLT-SI 发布时间 时间:2025/9/1 11:41:05 查看 阅读:7

HY57V643220CLT-SI 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高速动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该型号属于同步DRAM(Synchronous DRAM, SDRAM)类别,广泛用于需要快速数据访问的电子设备中,例如个人电脑、工业控制系统、嵌入式系统和网络设备。这款DRAM芯片采用3.3V电源供电,具有高速的数据传输速率,适合需要较高内存性能的应用场景。HY57V643220CLT-SI 采用TSOP(Thin Small-Outline Package)封装形式,具有较好的散热性能和空间利用率。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:4组x 16位(x16)
  电压:3.3V
  时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

HY57V643220CLT-SI 是一款高性能的SDRAM芯片,其同步接口允许与系统时钟同步工作,从而提高了数据传输的效率。该芯片支持突发模式访问,允许连续读取或写入多个存储位置,从而减少了访问延迟。它还支持自动刷新和自刷新功能,能够在不丢失数据的情况下进入低功耗模式,适用于需要长时间运行的系统。此外,该芯片采用了CMOS工艺制造,具有较低的功耗和较高的抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中稳定工作。HY57V643220CLT-SI 的设计支持多种突发长度和访问模式,使其能够适应不同的系统需求。

应用

HY57V643220CLT-SI 主要用于需要高性能内存的电子设备中,例如图形加速器、工业控制器、通信设备和嵌入式系统。由于其高速存取能力和低功耗特性,它也常用于网络路由器、交换机和其他需要快速数据处理的设备中。此外,该芯片还可用于视频处理系统和高端消费电子产品中,以提供稳定且高效的数据存储能力。

替代型号

IS42S16800-6T、K4S643232C-LC75

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