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HY57V641620HGT7 发布时间 时间:2025/9/2 1:38:59 查看 阅读:23

HY57V641620HGT7 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类型,具有较高的数据存取速度,适用于需要大容量内存和高性能数据处理的应用场景。其封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于各种嵌入式系统和电子设备。该芯片设计用于在高频率下运行,提供快速的数据传输和稳定的性能表现,是一款在20世纪末到21世纪初广泛使用的存储器解决方案。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:16M x 4 x 4 banks
  电源电压:3.3V
  数据速率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据总线宽度:16位
  刷新周期:64ms
  

特性

HY57V641620HGT7 是一款高性能的同步动态随机存取存储器(SDRAM),其主要特性包括高速数据存取能力、低功耗设计以及广泛的工作温度范围,适用于各种工业和消费类电子产品。
  该芯片支持突发模式(Burst Mode)操作,可以连续读取或写入多个数据单元,从而提高数据传输效率。此外,它具备自刷新(Self-Refresh)功能,在低功耗模式下仍能保持数据完整性,适用于需要长时间数据保持的应用场景。
  HY57V641620HGT7 的TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和较低的引脚数量,便于在空间受限的电路板上安装。其3.3V电源电压设计降低了功耗,同时兼容多种主流处理器接口,提升了系统的兼容性和灵活性。
  该芯片还具备自动预充电(Auto Precharge)功能,能够在每次突发访问后自动执行预充电操作,减少控制信号的复杂性并提高系统效率。同时,它支持多种突发长度(Burst Length)配置,允许用户根据实际需求优化数据传输模式。

应用

HY57V641620HGT7 主要应用于需要高性能内存支持的嵌入式系统,如网络设备、工业控制设备、通信模块以及多媒体播放器等。
  在通信设备中,该芯片可用于缓存数据和临时存储程序代码,以提升系统响应速度和处理能力。在工业控制领域,HY57V641620HGT7 可作为主控制器的外部存储器,提供高速数据缓冲和实时处理能力。
  此外,该芯片也可用于老款消费类电子产品,如DVD播放机、机顶盒以及早期的图形处理设备。其稳定的性能和广泛的兼容性使其成为多种嵌入式平台的理想选择。

替代型号

HY57V641620BFTP-B5、KM68V1000HGB4A、CY7C1370B-SOC

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