时间：2025/9/2 17:51:29
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HY57V641620HGT-PIDR 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该型号属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，广泛用于需要较高数据吞吐量和存储容量的电子设备中，例如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费类电子产品。该芯片具有16M x 16位的存储组织结构，总容量为256Mb（32MB），采用常见的TSOP封装形式，适用于高密度、高性能存储系统。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16位
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
封装类型：TSOP
引脚数量：54
最大访问时间：5.4ns（对应频率约166MHz）
刷新周期：64ms
数据保持电压：1.5V
时钟频率：最大166MHz
接口类型：LVTTL
存储架构：同步DRAM（Synchronous DRAM）
HY57V641620HGT-PIDR 是一款高性能的同步动态随机存储器芯片，具有较低的延迟和较高的数据传输速率，适用于需要快速存取和大容量缓存的应用场景。其同步接口设计使得数据传输与系统时钟保持同步，提高了整体系统的稳定性与效率。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在断电或低功耗模式下保持数据完整性，延长数据保持时间，非常适合用于便携式设备或需要低功耗运行的系统中。
该芯片的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），使其能够适应不同的电源管理方案，并具备良好的兼容性。此外，其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种严苛环境条件下的稳定运行，适合工业控制、车载电子、网络设备等对可靠性要求较高的应用领域。
HY57V641620HGT-PIDR 的TSOP封装形式有助于降低封装高度，提升空间利用率，并减少信号干扰，提高电气性能。这使得它在空间受限或需要高密度PCB布局的设计中具有明显优势。
HY57V641620HGT-PIDR 主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的电子系统中。典型应用包括嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信基础设施（如路由器、交换机）、网络设备、医疗仪器、视频采集与处理设备、智能卡终端、POS机等。由于其较高的工作频率和较大的存储容量，也常用于需要高速缓冲存储的消费类电子产品中，如数字电视、游戏机、打印机等设备。
IS42S16400J-6T、K4S641632K-TC、MT48LC16M2A2B4-6A
