HY57V641620HGT-PIDR 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该型号属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,广泛用于需要较高数据吞吐量和存储容量的电子设备中,例如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费类电子产品。该芯片具有16M x 16位的存储组织结构,总容量为256Mb(32MB),采用常见的TSOP封装形式,适用于高密度、高性能存储系统。
容量:256Mb
组织结构:16M x 16位
电源电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
封装类型:TSOP
引脚数量:54
最大访问时间:5.4ns(对应频率约166MHz)
刷新周期:64ms
数据保持电压:1.5V
时钟频率:最大166MHz
接口类型:LVTTL
存储架构:同步DRAM(Synchronous DRAM)
HY57V641620HGT-PIDR 是一款高性能的同步动态随机存储器芯片,具有较低的延迟和较高的数据传输速率,适用于需要快速存取和大容量缓存的应用场景。其同步接口设计使得数据传输与系统时钟保持同步,提高了整体系统的稳定性与效率。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在断电或低功耗模式下保持数据完整性,延长数据保持时间,非常适合用于便携式设备或需要低功耗运行的系统中。
该芯片的工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),使其能够适应不同的电源管理方案,并具备良好的兼容性。此外,其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)确保了在各种严苛环境条件下的稳定运行,适合工业控制、车载电子、网络设备等对可靠性要求较高的应用领域。
HY57V641620HGT-PIDR 的TSOP封装形式有助于降低封装高度,提升空间利用率,并减少信号干扰,提高电气性能。这使得它在空间受限或需要高密度PCB布局的设计中具有明显优势。
HY57V641620HGT-PIDR 主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的电子系统中。典型应用包括嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信基础设施(如路由器、交换机)、网络设备、医疗仪器、视频采集与处理设备、智能卡终端、POS机等。由于其较高的工作频率和较大的存储容量,也常用于需要高速缓冲存储的消费类电子产品中,如数字电视、游戏机、打印机等设备。
IS42S16400J-6T、K4S641632K-TC、MT48LC16M2A2B4-6A