容量：64Mbit
　　组织结构：16位x4M
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：166MHz
　　数据保持时间：64ms
　　

HY57V641620HGLTP-H 是一款高性能的DRAM芯片，具备高速访问能力和低功耗特性，适用于多种电子设备。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，允许在不同的电源条件下稳定工作。其5.4ns的访问时间使得该芯片能够在高频环境下提供快速的数据响应，适用于需要高速处理的应用场景。
　　该芯片采用16位x4M的组织结构，总容量为64Mbit，能够存储大量数据并支持快速读写操作。其同步接口设计确保了数据传输的稳定性和高效性，同时支持166MHz的时钟频率，进一步提升了数据处理速度。
　　此外，HY57V641620HGLTP-H 采用TSOP封装，具有54个引脚，适用于紧凑型电路设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在恶劣的环境条件下依然保持稳定性能。该芯片的数据保持时间为64ms，确保在断电情况下数据不会立即丢失，从而提高了系统的可靠性。
　　该芯片的设计还考虑了功耗问题，在保持高性能的同时，采用了低功耗技术，适用于电池供电设备和需要节能的应用场景。整体而言，HY57V641620HGLTP-H 是一款可靠、高效的DRAM存储器芯片，广泛应用于通信设备、工业控制系统、嵌入式系统和消费类电子产品。

HY57V641620HGLTP-H 主要应用于需要高速内存支持的电子设备。其高容量和低功耗特性使其成为嵌入式系统、网络设备、工业控制器和多媒体设备的理想选择。该芯片的高速访问能力和稳定性能使其适用于路由器、交换机等通信设备，能够有效提升数据处理效率。
　　在消费类电子产品中，该芯片可用于数字电视、机顶盒、数码相机和便携式游戏设备，提供快速的数据存储和访问能力，提升用户体验。此外，它还可用于汽车电子系统，如车载导航系统和车载娱乐系统，满足高可靠性需求。
　　由于其宽温度范围和稳定性，HY57V641620HGLTP-H 也可用于工业自动化设备和智能仪表，支持复杂的数据处理和存储任务。总之，该芯片凭借其高性能和多功能性，广泛应用于多个领域的电子设备中。

IS42S16400F-6T, MT48LC16M16A2B4-6A