时间：2025/9/1 18:33:59
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HY57V641620HGLT-SI 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）系列，具有较高的数据传输速率和较低的功耗，适用于需要快速数据存取的应用场景。HY57V641620HGLT-SI 采用TSOP封装形式，具有16M x 4 x 4 banks的存储结构，工作电压为2.3V至3.6V，适合广泛的工作环境。
容量：64Mbit
组织结构：16M x 4 x 4 banks
封装类型：TSOP
工作电压：2.3V - 3.6V
时钟频率：最大166MHz
数据速率：166MHz
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
HY57V641620HGLT-SI SDRAM芯片具有多个显著特性，确保其在高性能系统中的稳定性和可靠性。该芯片采用同步接口设计，所有操作均与外部时钟同步，提高了数据传输的精度和效率。其多Bank架构支持并行操作，从而提升整体性能。
此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不访问数据的情况下维持存储内容，降低功耗。HY57V641620HGLT-SI还支持突发访问模式，允许连续读写多个数据，提高数据吞吐率。
在电源管理方面，该芯片具备低功耗模式，在非活跃状态下可有效减少能耗，适用于便携式设备和对功耗敏感的应用。其TSOP封装结构有助于减少封装体积，提高PCB布局灵活性，并改善散热性能。
该芯片符合工业级温度要求（-40°C至+85°C），适用于各种恶劣环境下的应用，如工业控制、网络设备、通信模块等。
HY57V641620HGLT-SI 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的电子设备中。典型应用包括嵌入式系统、工业计算机、网络路由器和交换机、视频采集设备、通信模块以及需要大容量缓存的控制器系统。该芯片也常见于需要实时数据处理的工业自动化设备和高端消费类电子产品中。
IS42S16800G-6T, MT48LC16M16A2B4-6A, CY7C1370BV33-166BZS
