HY57V641620HGLT-PDR是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于SDRAM类别。该芯片的存储容量为64Mbit,组织形式为16M x 4,支持高速数据访问。该型号广泛应用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。
容量:64Mbit
组织结构:16M x 4
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns(最大)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数:54
最大工作频率:166MHz
数据保持时间:自动刷新和自刷新功能
HY57V641620HGLT-PDR具有高速存取能力,最大工作频率可达166MHz,适用于对性能有一定要求的应用场景。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性,降低功耗。
其电源电压范围较宽,支持2.3V至3.6V,适应多种电源设计方案。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级工作环境。封装形式为TSOP,具有较好的电气性能和热稳定性,便于在高密度PCB设计中使用。
该芯片具备低功耗设计,支持待机模式,适用于需要延长电池寿命的便携式设备。此外,其数据输出具有三态控制功能,可有效避免总线冲突,提高系统稳定性。
HY57V641620HGLT-PDR适用于多种嵌入式系统和工业控制设备,如工业自动化控制器、网络交换设备、通信模块、医疗监测设备、视频采集系统等。由于其高速性和低功耗特性,也常用于便携式电子设备和图像处理设备中的缓存存储。
IS61LV25616ALB4A-10BLI、CY7C1041GN30-10ZS、IDT71V416S08YG、ISSI IS61WV1008EBLL-10BLLI