时间：2025/9/2 5:44:46
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HY57V641620HGLT-PDR是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于SDRAM类别。该芯片的存储容量为64Mbit，组织形式为16M x 4，支持高速数据访问。该型号广泛应用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。
容量：64Mbit
组织结构：16M x 4
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
最大工作频率：166MHz
数据保持时间：自动刷新和自刷新功能
HY57V641620HGLT-PDR具有高速存取能力，最大工作频率可达166MHz，适用于对性能有一定要求的应用场景。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性，降低功耗。
其电源电压范围较宽，支持2.3V至3.6V，适应多种电源设计方案。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级工作环境。封装形式为TSOP，具有较好的电气性能和热稳定性，便于在高密度PCB设计中使用。
该芯片具备低功耗设计，支持待机模式，适用于需要延长电池寿命的便携式设备。此外，其数据输出具有三态控制功能，可有效避免总线冲突，提高系统稳定性。
HY57V641620HGLT-PDR适用于多种嵌入式系统和工业控制设备，如工业自动化控制器、网络交换设备、通信模块、医疗监测设备、视频采集系统等。由于其高速性和低功耗特性，也常用于便携式电子设备和图像处理设备中的缓存存储。
IS61LV25616ALB4A-10BLI、CY7C1041GN30-10ZS、IDT71V416S08YG、ISSI IS61WV1008EBLL-10BLLI
