时间：2025/9/1 15:33:37
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HY57V641620HCT-6 是由现代（Hyundai，现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于同步动态RAM（SDRAM）类别。该芯片的存储容量为64Mbit，组织形式为16M x 4位或4M x 16位，适用于需要高速存储访问的场合，如计算机主板、嵌入式系统、网络设备等。该型号采用TSOP（Thin Small-Outline Package）封装，具备低功耗、高性能的特点。
容量：64Mbit
组织形式：16M x 4 / 4M x 16
封装类型：TSOP
电压：3.3V
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据传输速率：166MHz（对应延迟时间-6）
HY57V641620HCT-6 芯片具备同步接口，支持突发模式读写操作，可实现高效的数据传输。
该芯片采用CMOS工艺制造，具备较低的功耗，适合对功耗敏感的应用场景。
其TSOP封装设计有助于减小PCB板空间占用，同时提供良好的散热性能。
支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在不频繁访问时仍能保持完整。
该芯片符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺制造流程。
HY57V641620HCT-6 广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、网络路由器、交换机、视频采集卡、通信设备等领域。
由于其高可靠性和低功耗特性，也常用于便携式电子设备和智能仪器仪表中。
在需要中等容量高速缓存的场合，该芯片是一个性价比较高的选择。
IS42S16400J-6T, MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632H-TCCC
