您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HY57V641620HCT-6

HY57V641620HCT-6 发布时间 时间:2025/9/1 15:33:37 查看 阅读:11

HY57V641620HCT-6 是由现代(Hyundai,现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于同步动态RAM(SDRAM)类别。该芯片的存储容量为64Mbit,组织形式为16M x 4位或4M x 16位,适用于需要高速存储访问的场合,如计算机主板、嵌入式系统、网络设备等。该型号采用TSOP(Thin Small-Outline Package)封装,具备低功耗、高性能的特点。

参数

容量:64Mbit
  组织形式:16M x 4 / 4M x 16
  封装类型:TSOP
  电压:3.3V
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据传输速率:166MHz(对应延迟时间-6)

特性

HY57V641620HCT-6 芯片具备同步接口,支持突发模式读写操作,可实现高效的数据传输。
  该芯片采用CMOS工艺制造,具备较低的功耗,适合对功耗敏感的应用场景。
  其TSOP封装设计有助于减小PCB板空间占用,同时提供良好的散热性能。
  支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在不频繁访问时仍能保持完整。
  该芯片符合RoHS环保标准,适用于无铅工艺制造流程。

应用

HY57V641620HCT-6 广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、网络路由器、交换机、视频采集卡、通信设备等领域。
  由于其高可靠性和低功耗特性,也常用于便携式电子设备和智能仪器仪表中。
  在需要中等容量高速缓存的场合,该芯片是一个性价比较高的选择。

替代型号

IS42S16400J-6T, MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632H-TCCC

HY57V641620HCT-6推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价