容量：64 Mbit
　　组织结构：16M x 4
　　电压：3.3V
　　封装：54-TSOP
　　速度：-6（对应时钟频率166MHz）
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据宽度：4位
　　访问时间：5.4ns
　　工艺：CMOS SDRAM
　　刷新方式：自动刷新

HY57V641620FFP-6 是一款高性能的同步动态随机存储器（SDRAM），其主要特性包括高存储密度、低功耗和高速访问能力。该芯片采用CMOS工艺制造，具有良好的稳定性和抗干扰能力，适用于各种工业级应用环境。
　　该芯片的组织结构为16M x 4位，使其总容量达到64Mbit。其工作电压为3.3V，支持标准的SDRAM接口协议，可与多种嵌入式处理器和控制器兼容。此外，该芯片具备自动刷新功能，能够确保数据在不频繁访问时保持稳定，从而延长存储器的使用寿命。
　　其封装形式为54-TSOP（Thin Small Outline Package），体积小巧，适合在空间受限的电路板中使用。工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，可在严苛的环境条件下稳定运行。HY57V641620FFP-6的访问时间为5.4ns，最高支持166MHz的时钟频率，适用于需要快速数据存取的场景。

该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备、消费电子产品和嵌入式系统中。具体应用包括工业自动化控制器、路由器、交换机、视频采集设备、图像处理系统以及需要高速缓存的嵌入式平台。由于其高可靠性和宽温度范围，HY57V641620FFP-6 也适用于户外设备和工业现场环境。

IS42S16400F-6TLI, MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632F-TC75