HY57V641620ELTP-HI 时间：2025/9/2 7:14:45 阅读：5

HY57V641620ELTP-HI 是一颗由Hynix（现为SK Hynix）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于同步DRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）类型。该芯片具有高容量和高速特性，适用于需要高性能存储的嵌入式系统、工业设备和网络设备等领域。HY57V641620ELTP-HI采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，具有16M x 4 banks x 16位结构，总容量为256Mb（兆位），支持自动刷新和自刷新功能，能够在工业级温度范围内稳定工作。

参数

容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16位，4个Banks
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问速度：10ns（对应时钟频率为166MHz）
　　封装类型：TSOP-II
　　封装尺寸：54引脚，400mil宽度
　　工作温度：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　数据输出类型：同步
　　刷新方式：自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）
　　突发长度：支持突发模式（Burst Length 1/2/4/8）
　　时钟频率：最大166MHz
　　访问时间：10ns

特性

HY57V641620ELTP-HI 具备多项高性能特性，首先其同步接口设计允许与系统时钟同步工作，从而提高数据传输效率并简化时序控制。该芯片采用CMOS工艺制造，具备低功耗运行能力，尤其在自刷新模式下可显著降低功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。
　　其次，HY57V641620ELTP-HI 支持多种突发长度模式（Burst Length 1/2/4/8），可根据系统需求灵活配置数据传输方式。其高速访问时间为10ns，支持高达166MHz的时钟频率，满足高性能嵌入式系统和通信设备对快速数据处理的需求。
　　此外，该芯片具备自动刷新和自刷新功能，确保数据在不频繁访问的情况下仍能保持完整，延长存储数据的保存周期。其TSOP封装设计具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于紧凑型PCB布局。
　　HY57V641620ELTP-HI 还支持工业级宽温工作范围（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下稳定运行，广泛适用于工业控制、通信设备、安防系统和车载电子等对可靠性要求较高的场景。

应用

HY57V641620ELTP-HI 主要应用于需要高性能、低功耗和宽温工作的嵌入式系统。其高速同步接口和256Mb的存储容量使其适用于图像处理、工业控制、网络交换设备、视频监控系统、智能卡终端、通信模块以及车载电子设备等场景。
　　在图像处理领域，该芯片可用于临时存储图像数据，配合主控芯片完成图像采集、处理和显示任务。在工业控制设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业计算机，HY57V641620ELTP-HI 可提供高速缓存支持，提升系统响应速度。
　　在网络设备中，如路由器和交换机，该芯片可用于缓存数据包，提高数据转发效率。在视频监控系统中，该DRAM芯片可用于存储实时视频流，支持多路视频信号的并行处理。
　　由于其宽温特性和高可靠性，HY57V641620ELTP-HI 也适用于车载电子系统、安防设备、智能电表和工业级物联网网关等对环境适应性要求较高的应用场合。