容量：64MB
　　组织结构：16M x 4 banks x 16位
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：54-pin TSOP
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　时钟频率：最大可达166MHz
　　数据传输速率：166MHz
　　数据宽度：16位
　　刷新方式：自动刷新/自刷新

HY57V641620ELTP-6 的主要特性包括其高性能的SDRAM架构、低功耗设计以及适用于多种工作环境的工业级温度范围。该芯片采用同步接口，使数据传输与系统时钟保持同步，从而提高了系统的整体性能。其高速数据传输速率（最高166MHz）使得该芯片非常适合用于需要大量数据吞吐的应用，例如图像处理、视频缓存和高速数据缓冲等场景。
　　此外，HY57V641620ELTP-6 具备自动刷新和自刷新功能，能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性，降低了系统设计的复杂度并提高了可靠性。该芯片的低功耗特性使其在电池供电设备或对功耗敏感的应用中具有良好的适用性。
　　在封装方面，该芯片采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸，便于在紧凑型电路板设计中使用。同时，其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。

HY57V641620ELTP-6 广泛应用于各种需要高性能、低功耗和大容量存储的电子系统中。常见的应用包括工业控制设备、通信设备（如路由器和交换机）、消费电子产品（如数字电视和机顶盒）、嵌入式系统以及图像处理设备。其高速数据传输能力和大容量存储能力使其非常适合用于需要频繁数据读写和缓存的场景。

IS42S16100E-6TL / MT48LC16M16A2B4-6A / CY7C1361BV25-543BZC