时间：2025/9/2 11:34:38
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HY57V561620FTP-HI 是由现代（Hynix，现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步DRAM类别。该芯片的型号表明其具有特定的封装形式、工作温度范围以及性能等级。HY57V561620FTP-HI 主要用于嵌入式系统、工业控制设备以及其他需要中等容量高速存储的应用场合。
容量：256Mbit
组织结构：4 Banks x 512K x 16
电压：2.3V - 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
数据速率：10ns（对应时钟频率166MHz）
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
HY57V561620FTP-HI 是一款高性能的异步DRAM芯片，具备高速访问和大容量存储的特点。其采用4 Banks x 512K x 16的组织结构，提供256Mbit的存储容量，适合需要较大内存缓冲的应用场景。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于不同类型的电源管理系统。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在恶劣工业环境下的可靠性，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等对稳定性要求较高的场合。
封装方面，该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。TSOP封装也有助于减少引脚间的干扰，提高信号完整性。
该DRAM芯片的数据速率为10ns，访问时间为5.4ns，支持快速的数据读写操作。其刷新周期为64ms，能够有效维持数据的完整性，同时降低刷新操作对系统性能的影响。HY57V561620FTP-HI 无需时钟信号进行同步，适用于异步总线架构，简化了系统设计并降低了成本。
HY57V561620FTP-HI 主要应用于嵌入式系统、工业控制器、通信设备、网络设备、多媒体播放器等需要高性能DRAM存储器的场合。其宽温特性和TSOP封装使其非常适合用于工业自动化设备、安防监控系统、车载电子设备以及智能家电等环境复杂的应用场景。此外，该芯片也可用于需要临时数据存储和高速缓存的计算机外设和手持设备。
IS42S16256B-10TL HY57V281620HCTP-HI MT48LC16M2A2B4-6A
